MOSFET）功率器件领域的优先，为了这个目标，KIA半导体正在持续创新，止步！高压mos管产品深圳KIA可易亚电子，专注于功率半导体开发得基础，在2007年KIA在韩国浦项工科大学内拥有了专业合作设计研发团队得8英寸VD-MOS晶圆厂。我司KIA率先成功研新型MOSFET系列产品，可以提供样品，以及有多种封装SOT-89TO-92、262、263、251、220F等。高压mos管产品特点（1）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好（2）场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大（3）场效应管是电压控制器件，它通过VGS来控制ID（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数（5）场效应管的抗辐射能力强（6）由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声。
由以上分析我们可以画出mos管工作原理图中MOS管电路部分的工作过程（见图）。工作原理同前所述。MOS管应用电路MOS管明显的特性是开关特性好，所以被广泛应用在需要电子开关的电路中，常见的如开关电源和马达驱动，也有照明调光。现在的MOS驱动，有几个特别的需求：1、低压应用当使用5V电源，这时候如果使用传统的mos管工作原理图图腾柱结构，由于三极管的be有，导致实际终加在gate上的电压只有。这时候，我们选用标称gate电压。同样的问题也发生在使用3V或者其他低压电源的场合。2、宽电压应用输入电压并不是一个固定值，它会随着时间或者其他因素而变动。这个变动导致PWM电路提供给MOS管的驱动电压是不稳定的。为了让MOS管在高gate电压下安全，很多MOS管内置了稳压管强行限制gate电压的幅值。在这种情况下，当提供的驱动电压超过稳压管的电压，就会引起较大的静态功耗。同时，如果简单的用电阻分压的原理降低gate电压，就会出现输入电压比较高的时候，MOS管工作良好，而输入电压降低的时候gate电压不足，引起导通不够彻底，从而增加功耗。3、双电压应用在一些控制电路中，逻辑部分使用典型的5V或者，而功率部分使用12V甚至更高的电压。两个电压采用共地方式连接。
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