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    耐高压的MOS管与耐低压的MOS管区别：耐高压的MOS管其反应速度比耐低压的MOS管要慢。mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比（beta）。另一种晶体管，叫做场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance，定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道，详情参考右侧图片（N沟道耗尽型MOS管）。而P沟道常见的为低压Mos管。

    三极管和MOS管的开关功能哪个略胜一筹我们在做电路设计中三极管和mos管做开关用时候有什么区别工作性质：1.三极管用电流控制，MOS管属于电压控制.2、成本问题：三极管便宜，MOS管贵。3、功耗问题：三极管损耗大。4、驱动能力：MOS管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。实际上就是三极管比较便宜，用起来方便，常用在数字电路开关控制。MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。一般来说低成本场合，普通应用的先考虑用三极管，不行的话考虑MOS管实际上说电流控制慢，电压控制快这种理解是不对的。要真正理解得了解双极晶体管和mos晶体管的工作方式才能明白。三极管是靠载流子的运动来工作的，以npn管射极跟随器为例，当基极加不加电压时，基区和发射区组成的pn结为阻止多子（基区为空穴，发射区为电子）的扩散运动，在此pn结处会感应出2020-08-30三极管的原理,开关ON和OFF,三个三极管是怎么导通的闭合开关，TR1导通致使TR2截止，使TR3基极电平升高，导通灯亮，断开开关时，TR1截止TR2导通，TR3截止灯灭2020-08-30三极管怎样做开关三极管在饱和导通(发射结和集电结都是正偏置)时,其CE极间电压很小,比PN结的导通电压还要低(硅管在)。