应用电路：二极管，普通二极管，一般用在低频检波或者整流电路中。肖特基二极管,快恢复二极管，用在高频或者超高频检波或者整流电路中。双向触发二极管,用在双向可控硅触发电路中。开关二极管用在电压低，电流小，频率稍高的信号控制电路中，如：CPU外围电路。开关二极管用来控制电路的通断，可以用于钳位电路普通二极管主要用来整流，将交流电变成脉动直流电肖特基二极管,快恢复二极管用于开关电路或者保护电路，功率较小双向触发二极管就是可控硅导通是需要触发信号，用于一些调控电路开关二极管起开关作用如楼道内的声控灯开关普通二极管起稳压作用主要用于电路板快恢复二极管起超电压保护作用整流二极管起整流作用，如交流电变直流电双向触发二极管,也起开关作用发光二极管起发光作用。
二极管的反向饱和电流受温度影响很大。[4]一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级，小功率锗管在μA数量级。温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加。[4]二极管击穿特性外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被长久破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。[5]反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。[5]另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时，外加电场使电子漂移速度加快，从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子。
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