而用户的驱动电压有时也并非这个电压数值。数据手册通常会在较小的母排杂散电感下进行开关损耗测试,而实际系统的母排或者PCB的布局常常会存在比较大的杂散电感。正因为实际系统的母排、驱动与数据手册的标准测试平台的母排、驱动存在着差异,才导致了直接采用数据手册的开关损耗进行实际系统的损耗评估存在着一定的误差。一种改善的方式是直接采用实际系统的母排和驱动来进行双脉冲测试,IGBT模块可以固定在一个加热平台上,而加热平台能够调节到150℃并保持恒温。图1给出了双脉冲的测试原理图,图2给出了双脉冲测试时的波形图,典型的双脉冲测试可以按照图1和图2进行,同时需要注意将加热平台调整到一定的温度,并等待一定时间,确保IGBT的结温也到达设定温度。图1-1:IGBT的双脉冲测试原理图图1-2:Diode的双脉冲测试原理图图2-1:IGBT的双脉冲测试波形图图2-2:Diode的双脉冲测试波形图图3给出了双脉冲测试过程中,IGBT的开通过程和关断过程的波形。损耗可以通过CE电压和导通电流的乘积后的积分来获得。需要注意的是电压探头和电流探头需要匹配延时,否则会引起比较大的测试误差。在用于数据手册的测试平台中,常见的电流探头是PEARSON探头,而实际系统的母排中。
根据IGBT的驱动以及逆变电路的要求,模块内部的IGBT控制电源必须是上桥臂3组,下桥臂1组,总计4组单独的15V直流电源。图1中给出了几种典型光电耦合器驱动电路,其中三极管与光电耦合器并联型电路对光电耦合器特别有利。对控制输入的光电耦合器规格的要求是:CMH与CML相等且太于15kV/μs或10kV/μs,TPHL=TPLH<。图1光电耦合器驱动电路推荐使用的光电耦合器有:HCPI,-4505、HCPL-4506、(IGM)、TLP755等。一般情况下,光电耦合器要符合UI。、VDE等安全认证。同时好使光电耦合器和IGBT控制端子间的布线尽量短。由于光电耦合器两端间常加有大的du/出,因此,光电耦合器两端的布线不要太靠近以减小其间的耦合电容。在使用15V的直流电源组件时,电源输出侧的GND端子不要互联,并尽量减少各电源与地间的杂散电容,同时还应当确保足够大的绝缘距离(大于2mm)。光电耦合器输入用的10μF及μF滤波电容主要用于保持控制电压平稳和使线路阻抗稳定。控制信号输入端与Vcc端应接20kΩ的上拉电阻,在不使用制动单元时,也应该在DB输人端与Vcc端之间接20Ω的上拉电阻,否则,du/dt过大,可能会引起误动作。图2所示为1组上桥臂的控制信号的输入电路。
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