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上传时间:2023-04-09 浏览次数:
文章摘要:    也可以用模块中的2个半桥电路并联构成电流规格大2倍的半桥模块,即将分别将G1和G3、G2和G4、E1和E3、E2和E4、E1C2和E3短接。4.三相桥模块,6in1模块三相桥(3-P

    也可以用模块中的2个半桥电路并联构成电流规格大2倍的半桥模块,即将分别将G1和G3、G2和G4、E1和E3、E2和E4、E1C2和E3短接。4.三相桥模块,6in1模块三相桥(3-Phasebridge模块的内部等效电流如图5所示。图5三相桥模块的内部等效电路三相桥模块也称为6in1模块,用于直接构成三相桥电路,也可以将模块中的3个半桥电路并联构成电流规格大3倍的半桥模块。三相桥常用的领域是变频器和三相UPS、三相逆变器,不同的应用对IGBT的要求有所不同,故制造商习惯上会推出以实际应用为产品名称的三相桥模块,如3-Phaseinvertermodule(三相逆变器模块)等。,CBI模块,7in1模块欧美厂商一般将包含图6所示的7in1模块称为CBI模块(Converter-Brake-InverterModule,整流-刹车-逆变)模块,日系厂商则习惯称其为PIM模块。图67in1模块内部的等效电路制造商一般都会分别给出模块中个功能单元的参数,表1是IXYS的MUBW15-12T7模块的主要技术规格。表1MUBW15-12T7的主要技术规格三相整流桥断路器三相逆变器NTCVRRM=1600VVCES=1200VVCES=1200VR25=ΩIFAVM=38AIC25=30AIC25=30AB25/50=3375KIFSM=300AVCE(sat)=(sat)=其中,断路器和三相逆变器给出的都是IGBT管芯的技术规格。

    igbt功率模块是以绝缘栅双极型晶体管(igbt)构成的功率模块。由于igbt模块为mosfet结构,igbt的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离,具有出色的器件性能。广泛应用于伺服电机,变频器,变频家电等领域。目录1特点2应用3注意事项4发展趋势IGBT功率模块特点编辑igbt功率模块是电压型控制,输入阻抗大,驱动功率小,控制电路简单,开关损耗小,通断速度快,工作频率高,元件容量大等优点。实质是个复合功率器件,它集双极型功率晶体管和功率mosfet的优点于一体化。又因先进的加工技术使它通态饱和电压低,开关频率高(可达20khz),这两点非常显着的特性,近西门子公司又推出低饱和压降()的npt-igbt性能更佳,相继东芝、富士、ir,摩托罗拉亦己在开发研制新品种。IGBT功率模块应用编辑igbt是先进的第三代功率模块,工作频率1-20khz,主要应用在变频器的主回路逆变器及一切逆变电路,即dc/ac变换中。例电动汽车、伺服控制器、ups、开关电源、斩波电源、无轨电车等。问世迄今有十年多历史,几乎己替代一切其它功率器件,例,单个元件电压可达(pt结构)一(npt结构),电流可达。IGBT功率模块注意事项编辑a,栅极与任何导电区要绝缘,以免产生静电而击穿。

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