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中国澳门富士IGBT销售价格 江苏芯钻时代电子科技供应 江苏芯钻时代电子科技供应

上传时间:2023-08-02 浏览次数:
文章摘要:    很难装入PEARSON探头,更多的采用Rogowski-coil。需要注意的是Rogowski-coil的延时会比较大,而且当电流变化率超过3600A/μs时,Rogowski-co

    很难装入PEARSON探头,更多的采用Rogowski-coil。需要注意的是Rogowski-coil的延时会比较大,而且当电流变化率超过3600A/μs时,Rogowski-coil会有比较明显的误差。关于测试探头和延时匹配也可同仪器厂家确认。图3-1IGBT关断过程DUT:FF600R12ME4;CH2(绿色)-VGE,CH3(蓝色)-ce,CH4(红色)-Ic图3-2IGBT开通过程首先固定电压和温度,在不同的电流下测试IGBT的开关损耗,可以得出损耗随电流变化的曲线,并且对曲线进行拟合,可以得到损耗的表达式。该系统的直流母线电压小为540V,高为700V。而系统的IGBT的结温的设计在125℃和150℃之间。分别在540V和700V母线电压,及125℃和150℃结温下重复上述测试,可以得到一系列曲线,如图4所示。图4:在不同的电流输入条件下,以电压和温度为给定条件的IGBT的开关损耗曲线依据图4给出的损耗测试曲线,可以依据线性等效的方法得到IGBT的开通损耗和关断损耗在电流,电压,结温下的推导公式。同理也可以得到Diode在给定系统的电压,电流,结温设计范围内的反向恢复损耗的推导公式:图5:在不同的电流输入条件下。

    3、任何指针式万用表皆可用于检测IGBT注意判断IGBT好坏时,一定要将万用表拨在R&TImes;10KΩ挡,因R&TImes;1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低,检测好坏时不能使IGBT导通,而无法判断IGBT的好坏。此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管(P-MOSFET)的好坏。逆变器IGBT模块检测:将数字万用表拨到二极管测试档,测试IGBT模块c1e1、c2e2之间以及栅极G与e1、e2之间正反向二极管特性,来判断IGBT模块是否完好。以六相模块为例。将负载侧U、V、W相的导线拆除,使用二极管测试档,红表笔接P(集电极c1),黑表笔依次测U、V、W,万用表显示数值为比较大;将表笔反过来,黑表笔接P,红表笔测U、V、W,万用表显示数值为400左右。再将红表笔接N(发射极e2),黑表笔测U、V、W,万用表显示数值为400左右;黑表笔接P,红表笔测U、V、W,万用表显示数值为比较大。各相之间的正反向特性应相同,若出现差别说明IGBT模块性能变差,应予更换。IGBT模块损坏时,只有击穿短路情况出现。红、黑两表笔分别测栅极G与发射极E之间的正反向特性,万用表两次所测的数值都为比较大,这时可判定IGBT模块门极正常。如果有数值显示,则门极性能变差,此模块应更换。

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