在较低频率下,较大的电容可以提供低电阻接地路径。一旦这些电容达到自谐振频率,它们的电容特性就消失了,它们变成了具有电感特性的元件。这就是并联使用多个电容的主要原因,可以在很宽的频率范围内保持较低的交流阻抗。芯片电源要求电源稳定,但实际电源不稳定,高频低频干扰混杂。实际电容与理想电容大相径庭,具有RLC三重性质。10uf的电容对低频干扰的过滤效果很好,但对于高频干扰,电容是感性的,阻抗太大无法有效滤除,所以组合一个0.1uf的电容滤除高频成分。如果你的设计要求不高,没必要完全遵守这个规则。电容的基本单位是:F(法),此外还有μF(微法)、nF、pF(皮法)。北京片式多层陶瓷电容器规格
电容与直流偏置电压的关系:***类型电介质电容器的电容与DC偏置电压无关。第二类型电介质电容器的电容随DC偏压而变化,陶瓷电容器允许负载的交流电压与电流和频率的关系主要受电容器ESR的影响;相对来说,C0G的ESR比较低,所以可以承受比较大的电流,对应的允许施加的交流电压也比较大;X7R、X5R、Y5V、Z5U的ESR比较大,可以承受C0G以下。同时由于电容远大于C0G,所以施加的电压会比C0G小很多。1类介质电容器允许电压、电流和频率的解释当负载频率较低时,即使负载的交流电压为额定交流电压,当流经电容器的电流低于额定电流时,允许电容器负载额定交流电压,即平坦部分;上海X5R电容厂家MLCC 产业的下游几乎涵盖了电子工业全领域,如消费电子、工业、通信、汽车等。
电容类型由于同一种介质的极化类型不同,其对电场变化的响应速度和极化率也不同。相同体积下,容量不同,导致电容器的介质损耗和容量稳定性不同。材料的温度稳定性按容量可分为两类,即I类陶瓷电容器和II类陶瓷电容器。NPO属于一级陶瓷,其他X7R、X5R、Y5V、Z5U都属于二级陶瓷。陶瓷电容器的特性5.1电容器的实际电路模型电容器作为基本元件之一,在实际生产中并不理想。会有寄生电感和等效串联电阻。同时,由于电容器两极板之间的介质不是相对绝缘的,所以存在较大的绝缘电阻。
如何抑制“啸叫”现象:1.降压电源通常有PWM和PFM工作模式。PWM模式下纹波小,在高负载功耗条件下使用。为了避免BUCK在PWM模式下充电电容的开关频率引起的啸叫,有些电源的开关频率会刻意避开20hz~20Khz的开关频率。2.当电源处于轻载模式时,会间歇工作,间歇输出几个脉冲。这种间歇脉冲的频率也可以被人耳听到。因此,从电源或负载的角度来看,PFM工作时间歇脉冲的工作频率应进行优化,以避免啸叫。3.另一种是隐藏状态。在项目初期,系统往往不稳定,负载在正常和低功耗模式之间反复切换,电源也很容易在PWM和PFM模式之间切换。这种切换的时隙也可能引起啸叫,需要软件优化系统的稳定性,避免负载工作模式的异常切换,避免啸叫。铝电解电容用途普遍:滤波作用;旁路作用;耦合作用;冲击波吸收;杂音消除;移相;降压等等。
陶瓷电容器的分类:陶瓷电容器根据介质的种类主要可以分为两种,即I类陶瓷电容器和II类陶瓷电容器。Ⅰ类陶瓷电容器,原名高频陶瓷电容器,是指由陶瓷介质制成的电容器,具有低介质损耗,高绝缘电阻,介电常数随温度线性变化。特别适用于谐振电路和其它损耗低、电容稳定的电路,或用于温度补偿。Ⅱ类陶瓷电容器过去称为低频陶瓷电容器,是指以铁电陶瓷为电介质的电容器,所以又称为铁电陶瓷电容器。这种电容器比电容大,电容随温度非线性变化,损耗大。常用于电子设备中对损耗和电容稳定性要求不高的旁路、耦合或其他电路。陶瓷介质电容器的绝缘体材料主要使用陶瓷。浙江陶瓷电容传感器生产厂家
电容器的电容量的基本单位是法拉(F)。在电路图中通常用字母C表示电容元件。北京片式多层陶瓷电容器规格
片式多层陶瓷电容器,独石电容,片式电容,贴片电容)MLCC的优点:1、由于使用多层介质叠加的结构,高频时电感非常低,具有非常低的等效串联电阻,因此可以使用在高频和甚高频电路滤波无对手;2、无极性,可以使用在存在非常高的纹波电路或交流电路;3、使用在低阻抗电路不需要大幅度降额;4、击穿时不燃烧,安全性高。所有都用陶瓷为介质的电容器都叫陶瓷电容,绝大部分的人都是根据贴片、插件来称呼,但是这个称呼不是很统一,还有很多人是根据形状来称呼,如片状陶瓷电容、圆形陶瓷电容、管形陶瓷电容等。对于半导体设备而言,贴片陶瓷电容非常重要,否则,那些采用较新微细加工技术制造的微处理器、DSP、微机、FPGA等半导体器件,将会失去正常工作,所以我们在选择贴片陶瓷电容的时候要慎重,北京片式多层陶瓷电容器规格
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