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1.整流二极管有单向导电性，可以将方向交替变换的交流电转换为单一方向的脉冲直流电。2、限幅二极管两端加正向电压导通后，正向压降基本保持不变，可以将信号的幅度限制在一定的范围内。3、续流在开关电源的电感中或继电器的感性负载中起到续流的作用。4、变容通过施加反向电压改变PN结的静电容量，达到变容的功能二极管具有阳极和阴极两个端子，电流只能往单一方向流动。也就是说，电流可以从阳极流向阴极，而不能从阴极流向阳极。对二极管所具备的这种单向特性的应用，通常称之为“整流”功能,可将交流电转变为脉动直流电深圳市凯轩业科技是一家专业晶体管方案设计公司，欢迎新老客户来电！深圳场效应管

TO-252封装的超快速恢复二极管MUR540、MUR560、MUR580平均整流输出电流为5A，反向重复峰值电压为400v、600v、800v。MUR1040、MUR1060、MUR1080平均整流输出电流为10A，反向重复峰值电压为400v、600v、800v。六款超快速恢复二极管，均采用TO-252封装，适用于各种整流应用。封装TO-252属于贴片式背带散热片，该产品可以较好的替代传统直插DO-27封装，减少了传统直插带来的人工成本及再加工成型带来的压力损伤等因素，具有效率更高、产品稳定性能更佳、空间占用小等优势。深圳场效应管将交流电源整流成为直流电流的二极管叫作整流二极管。

三极管的三种工作状态是非常重要的，是无线电基础中的基础。对此我是这样理解的。无论是NPN型三极管还是PNP型三极管，当发射结加正向偏置电压，而集电结加反向偏置电压时，那么该三极管就工作在放大模式；而当其发射结和集电结都加正向偏置电压时，该三极管就工作在饱和模式；而当发射结和集电结同时加反向偏置电压时，那么该三极管就工作在截止模式。为此我编了一句顺口溜：发正集反是放大；全正饱和全反截，希望对大家理解有用。

半导体三极管1半导体三极管的结构.半导体三极管又称晶体三极管(简称三极管)，是电子线路中较常用的半导体器件，它在电路中主要起放大和电子开关作用定义:晶体三极管从结构上可以分为NPN型和PNP型两类晶体三极管有集电区，基区和发射区三个区域集电区与基区之间的PN结称为集电结，基区与发射区之间的PN结称为发射结。发射极的箭头方向就是该类型管子发射极正向电流的方向，2半导体三极管的电流分配及放大作用一、三极管的放大作用1.外部条件：发射结正偏，集电结反偏2.内部条件：基区宽度小于非平衡少数载流子的扩散长度3.IE、IB、Ic之间关系＇：IE＝IB+Ic.发射结正向偏置、使电结反向偏置。快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管（5us以下），工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构。

在三极管be之间增加偏置电阻，测量Vce击穿电压下图中给出了Rbe分别去2k,51k,100k的情况下，C、E的电压电流曲线。可以看到C、E的击穿电压位于Vceo与Vcbo之间。所以在正常设计三极管电路的时候，需要根据等效的Rbe数值来对三极管的耐压余量进行选择。在不同的Rbe的阻值下，Vce的击穿电压曲线由于三极管的发射区掺杂浓度很高，B、E之间的反向击穿电压往往小于10V。因此，在使用三极管的时候，如果错把集电极和发射极弄混，除了会引起电流放大倍数的下降之外，因为Vebo,Vceo的差异，电路中的三极管的也会被击穿。和二极管一样，半导体器件的参数往往离散型很大。下面是两个不同批次的S8050的Vceb的耐压曲线。反向击穿电压相差30%左右。两个不同批次的S8050Vceo的电压并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。深圳场效应管

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场效应管(MOS管)1、场效应管英文缩写：FET(Field-effecttransistor)2、场效应管分类：结型场效应管和绝缘栅型场效应管3、场效应管电路符号：4、场效应管的三个引脚分别表示为:G(栅极),D(漏极),S(源极)注：场效应管属于电压控制型元件，又利用多子导电故称单极型元件，且具有输入电阻高，噪声小，功耗低，无二次击穿现象等优点。5、场效应晶体管的优点：具有较高输入电阻高、输入电流低于零，几乎不向信号源吸取电流，在在基极注入电流的大小，直接影响集电极电流的大小，利用输出电流控制输出电源的半导体。深圳场效应管