晶体管的电流放大作用如下图所示为基本放大电路，为输入电压信号，它接入基极-发射极回路，称为输入回路；放大后的信号在集电极-发射极回路，称为输出回路。由于发射极是两个回路的公共端，故称该电路为共射放大电路。晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结正偏且集电结反向偏置，所以输入回路加的基极电源和输出回路加的集电极电源的晶体管的结构及类型用不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三个掺杂区域，并形成两个PN结，就构成了晶体管。结构如图(a)所示，位于中间的P区称为基区，它很薄且杂质浓度很低；位于上层的N区是发射区，掺杂浓度很高；位于下层的N区是集电区，面积很大；它们分别引出电极为基极b,发射极e和集电极c。KXY简而言之，晶体管就是个可变电阻.选深圳市凯轩业电子。深圳数字晶体管
晶体管公共发射极（CE）配置：在此电路中，放置了发射极输入和输出通用。输入信号施加在基极和发射极之间，输出信号施加在集电极和发射极之间。Vbb和Vcc是电压。它具有高输入阻抗，即（500-5000欧姆）。它具有低输出阻抗，即（50-500千欧）。电流增益将很高（98），即beta（dc）=Ic/Ie功率增益高达37db。输出将异相180度。晶体管公共集电极配置：在此电路中，集电极对输入和输出均通用。这也称为发射极跟随器。输入阻抗高（150-600千欧），输出阻抗低（100-1000欧）。电流增益会很高（99）。电压增益将小于1。功率增益将是平均的。深圳数字晶体管二极管、三极管、场效应管都是半导体器件.
三极管（BJT管），也称为双性型晶体管三极管是一个人丁兴旺的“大家族”，其人员众多.因此在电子电路中如果没有三极管的话那么这个电路将“一事无成”.电路中的很多元件都是为三极管服务的，比如电阻、电容等.有必要和大家对三极管进行一下剖析，下面让我们看看三极管的“庐山真面目”.三极管也有三条腿，并且这三条腿不能相互换用，不像MOS管那样其源极（S）和漏极（D）在一定条件下还可以换用的（低频的结型管可以互换）.从图中我们也可以看到，三极管也是有两个PN结构成.我们以NPN型三极管为例来说明这个问题，分别从三个半导体基座中引出三个极，我们给它分别起个名字叫基极、集电极和发射极.这三个端子的相互作用是，通过控制流入基极的电流就可以达到控制发射极和集电极之间的电流的大小，由此我们可以知道三极管是一个电流型控制器件.
晶体管的电流放大作用如下图所示为基本放大电路，为输入电压信号，它接入基极-发射极回路，称为输入回路；放大后的信号在集电极-发射极回路，称为输出回路。由于发射极是两个回路的公共端，故称该电路为共射放大电路。晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结正偏且集电结反向偏置，所以输入回路加的基极电源和输出回路加的集电极电源的晶体管的结构及类型用不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三个掺杂区域，并形成两个PN结，就构成了晶体管。结构如图(a)所示，位于中间的P区称为基区，它很薄且杂质浓度很低；位于上层的N区是发射区，掺杂浓度很高；位于下层的N区是集电区，面积很大；它们分别引出电极为基极b,发射极e和集电极c。该工艺是在Si半导体芯片上通过氧化、光刻、扩散、离子注入等一系列流程，制作出晶体管和集成电路。
按晶体管使用的半导体材料可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管.按晶体管的极性可分为锗NPN型晶体管、锗PNP晶体管、硅NPN型晶体管和硅PNP型晶体管.晶体管按其结构及制造工艺可分为扩散型晶体管、合金型晶体管和平面型晶体管.晶体管按电流容量可分为小功率晶体管、**率晶体管和大功率晶体管.晶体管按工作频率可分为低频晶体管、高频晶体管和超高频晶体管等.晶体管按封装结构可分为金属封装（简称金封）晶体管、塑料封装（简称塑封）晶体管、玻璃壳封装（简称玻封）晶体管、表面封装（片状）晶体管和陶瓷封装晶体管等.其封装外形多种多样.MOS晶体管全名叫做MOSFET（Metaloxidesemiconductorfieldeffecttransistor）。深圳数字晶体管
放大系数是指在静态无变化信号输入时，晶体管集电极电流IC与基极电流IB的比值，一般用hFE或β表示。深圳数字晶体管
晶体管的结构及类型用不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三个掺杂区域，并形成两个PN结，就构成了晶体管。结构如图(a)所示，位于中间的P区称为基区，它很薄且杂质浓度很低；位于上层的N区是发射区，掺杂浓度很高；位于下层的N区是集电区，面积很大；它们分别引出电极为基极b,发射极e和集电极c。晶体管的电流放大作用如下图所示为基本放大电路，为输入电压信号，它接入基极-发射极回路，称为输入回路；放大后的信号在集电极-发射极回路，称为输出回路。由于发射极是两个回路的公共端，故称该电路为共射放大电路。晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结正偏且集电结反向偏置，所以输入回路加的基极电源和输出回路加的集电极电源的。深圳数字晶体管
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