3．反向击穿电压的检测二极管反向击穿电压（耐压值）可以用晶体管直流参数测试表测量。其方法是：测量二极管时，应将测试表的“NPN/PNP”选择键设置为NPN状态，再将被测二极管的正极接测试表的“C”插孔内，负极插入测试表的“e”插孔，然后按下“V（BR）”键，测试表即可指示出二极管的反向击穿电压值。也可用兆欧表和万用表来测量二极管的反向击穿电压、测量时被测二极管的负极与兆欧表的正极相接，将二极管的正极与兆欧表的负极相连，同时用万用表（置于合适的直流电压档）监测二极管两端的电压。如图4-71所示，摇动兆欧表手柄（应由慢逐渐加快），待二极管两端电压稳定而不再上升时，此电压值即是二极管的反向击穿电压。其工作频率可达100GHz。并且，MIS（金属绝缘体半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。深圳可控硅管
稳压二极管高重复峰值反向电压(耐压)及大反向电流这两个技术参数有一定的关联，放在一起说。电源中整流桥的损坏常常是耐压问题，如何通过检验对二极管的耐压品质作出判断呢?这是提高产品可靠性的关键。二极管的反向特性曲线必须是硬特性，软特性的二极管反向漏电流必然大，这种情况造成的损坏表现是PCB板变色，烧焦。检验反向耐压的一致性。如果抽检一批二极管，虽然全部达到要求，肖特基二极管极性，耐压值的离散性大于20%，厦门肖特基二极管，在长期使用时就可能有问题。深圳肖特基二极管深圳市凯轩业科技为您供应晶体管设计，有需要可以联系我司哦！
半导体三极管的好坏检测a;先选量程：R﹡100或R﹡1K档位b;测量PNP型半导体三极管的发射极和集电极的正向电阻值:红表笔接基极,黑表笔接发射极,所测得阻值为发射极正向电阻值,若将黑表笔接集电极(红表笔不动),所测得阻值便是集电极的正向电阻值,正向电阻值愈小愈好.c;测量PNP型半导体三极管的发射极和集电极的反向电阻值:将黑表笔接基极,红表笔分别接发射极与集电极,所测得阻值分别为发射极和集电极的反向电阻,反向电阻愈小愈好.d;测量NPN型半导体三极管的发射极和集电极的正向电阻值的方法和测量PNP型半导体三极管的方法相反.
一、MOS管MOS管是电压控制型器件，栅极（G）的电压控制源极（S）和漏极（D）之间的电流。下面以NMOS为例图示如下。NMOS管的原理图示它们好像是一个受外界磁力控制的开关，当外面有红色磁体时，好像栅极（G）加压，内部的黄色阀门就开启，绿色的电子好像水流一样就会从源极（S）流到漏极（D）。刚开始水流随着阀门的开启增大而增大，这就是线性工作区。当阀门开到一定程度，水流不会再增大了，因为管子满了。这就是饱和区工作状态。c晶体管设计，就选深圳市凯轩业科技，欢迎客户来电！
二稳压二极管的检测1．正、负电极的判别从外形上看，金属封装稳压二极管管体的正极一端为平面形，负极一端为半圆面形。塑封稳压二极管管体上印有彩色标记的一端为负极，另一端为正极。对标志不清楚的稳压二极管，也可以用万用表判别其极性，测量的方法与普通二极管相同，即用万用表R×1k档，将两表笔分别接稳压二极管的两个电极，测出一个结果后，再对调两表笔进行测量。在两次测量结果中，阻值较小那一次，黑表笔接的是稳压二极管的正极，红表笔接的是稳压二极管的负极。若测得稳压二极管的正、反向电阻均很小或均为无穷大，则说明该二极管已击穿或开路损坏。检测晶体三极管时，选择反应灵敏的指针万用表。将万用表的量程调整至挡，并进行调零校正。深圳可控硅管
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外一个标称为1N4004的二极管，通过实测会发现，它的反向耐压的数值居然与1N4007相同。说明器件生产商为了减少型号库存，将同规格的器件按照不同型号来出品。不同型号的1N400X反向击穿电压曲线，1N4004,1N4007的反向耐压曲线是相同有的时候，对于二极管的反向耐压数值要求精度比较高，向TVS瞬变二极管通常用于***和吸收电路中瞬态高电压脉冲，用于保护电路。它的击穿电压需要能够比较精确。如果与标称值有较大的误差的话，在实际工作中就起不到保护电路的作用了。手边的TVS二极管，型号为1.5KE100A，数据手册给定的反向击穿电压范围是：85.5~105V，典型击穿电压为95V。下面是实测反向电压电流曲线，它的击穿电压为96V，与标称值非常接近深圳可控硅管
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