天津进口MOS管工厂直销 江苏芯钻时代电子科技供应

    4：大电流布线尽量采用粗、短的布局结构，尽量减少布线寄生电感。5：选择合理的栅极电阻Rg。6：在大功率电源中，可以根据需要适当的加入RC减震或齐纳二极管进行吸收。SOA失效（电流失效）再简单说下第二点，SOA失效SOA失效是指电源在运行时异常的大电流和电压同时叠加在MOSFET上面，造成瞬时局部发热而导致的破坏模式。或者是芯片与散热器及封装不能及时达到热平衡导致热积累，持续的发热使温度超过氧化层限制而导致的热击穿模式。关于SOA各个线的参数限定值可以参考下面图片。1：受限于大额定电流及脉冲电流2：限于大节温下的RDSON。3：受限于器件大的耗散功率。4：受限于大单个脉冲电流。5：击穿电压BVDSS限制区我们电源上的MOSFET，只要保证能器件处于上面限制区的范围内，就能有效的规避由于MOSFET而导致的电源失效问题的产生。。1：确保在差条件下，MOSFET的所有功率限制条件均在SOA限制线以内。2：将OCP功能一定要做精确细致。在进行OCP点设计时，一般可能会取，然后就根据IC的保护电压比如。有些有经验的人会将检测延迟时间、CISS对OCP实际的影响考虑在内。但是此时有个更值得关注的参数，那就是MOSFET的Td（off）。它到底有什么影响呢。

    mos管导通电阻的作用mos管导通电阻，一般在使用MOS时都会遇到栅极的电阻选择和使用问题，但有时对这个电阻很迷茫，现介绍一下它的作用：1.是分压作用2.下拉电阻是尽快泄放栅极电荷将MOS管尽快截止3.防止栅极出现浪涌过压（栅极上并联的稳压管也是防止过压产生）4.全桥栅极电阻也是同样机理，尽快泄放栅极电荷，将MOS管尽快截止。避免栅极悬空，悬空的栅极MOS管将会导通，导致全桥短路5.驱动管和栅极之间的电阻起到隔离、防止寄生振荡的作用降低高压MOS管导通电阻的原理与方法1.不同耐压的MOS管的导通电阻分布。不同耐压的MOS管，其导通电阻中各部分电阻比例分布也不同。如耐压30V的MOS管，其外延层电阻为总导通电阻的29%，耐压600V的MOS管的外延层电阻则是总导通电阻的。由此可以推断耐压800V的MOS管的导通电阻将几乎被外延层电阻占据。欲获得高阻断电压，就必须采用高电阻率的外延层，并增厚。这就是常规高压MOS管结构所导致的高导通电阻的根本原因。2.降低高压MOS管导通电阻的思路。增加管芯面积虽能降低导通电阻，但成本的提高所付出的代价是商业品所不允许的。引入少数载流以上两种办法不能降低高压MOS管的导通电阻。

江苏芯钻时代电子科技有限公司，专业从事电气线路保护设备和电工电力元器件模块的服务与销售，具有丰富的熔断器、电容器、IGBT模块、二极管、可控硅、IC类销售经验的专业公司。公司以代理分销艾赛斯、英飞凌系列、赛米控系列，富士系列等模块为主，同时经营销售美国巴斯曼熔断器、 西门子熔断器、美尔森熔断器、力特熔断器等电气保护。