
许多初学者对二极管很“熟悉”,提起二极管的特性可以脱口而出它的单向导电特性,说到它在电路中的应用反应是整流,对二极管的其他特性和应用了解不多,认识上也认为掌握了二极管的单向导电特性,就能分析二极管参与的各种电路,实际上这样的想法是错误的,而且在某种程度上是害了自己,因为这种定向思维影响了对各种二极管电路工作原理的分析,许多二极管电路无法用单向导电特性来解释其工作原理。二极管除单向导电特性外,还有许多特性,很多的电路中并不是利用单向导电特性就能分析二极管所构成电路的工作原理,而需要掌握二极管更多的特性才能正确分析这些电路,例如二极管构成的简易直流稳压电路,二极管构成的温度补偿电路等。二极管简易直流稳压电路及故障处理二极管简易稳压电路主要用于一些局部的直流电压供给电路中,由于电路简单,成本低,所以应用比较广。二极管简易稳压电路中主要利用二极管的管压降基本不变特性。二极管的管压降特性:二极管导通后其管压降基本不变,对硅二极管而言这一管压降是,对锗二极管而言是。如图9-40所示是由普通3只二极管构成的简易直流稳压电路。电路中的VD1、VD2和VD3是普通二极管,它们串联起来后构成一个简易直流电压稳压电路。
所述二极管结构包括覆盖所述衬底和所述沟槽的传导层,所述传导层电连接到所述衬底以及电连接到所述一传导区域和所述第二传导区域。在一些实施例中,所述传导层与所述衬底接触或者与所述衬底分离小于300nm。在另一方面,提供了一种二极管。该二极管包括:衬底,具有一沟槽;阴极和阳极,耦合到所述衬底;一传导区域,位于所述沟槽中并且与所述衬底分离一距离,所述一距离短于10nm;以及第二传导区域,位于所述沟槽中并且比所述一传导区域更深地延伸。在一些实施例中,所述衬底包括第二沟槽,所述二极管进一步包括:至少一个晶体管,具有在所述一沟槽和所述第二沟槽之间延伸的至少一个沟道区域,所述一传导区域限定所述至少一个晶体管的栅极。在一些实施例中,所述二极管包括:传导层,覆盖所述衬底以及所述一沟槽和所述第二沟槽;以及接触区域,形成在所述衬底中并且将所述沟道区域电连接到所述传导层。在一些实施例中,所述一传导区域和所述第二传导区域是半导体区域,所述沟道区域和所述一传导区域掺杂有相反的导电类型。在一些实施例中,所述二极管包括漏极区域,所述漏极区域在所述沟道区域下方以及在所述一沟槽和所述第二沟槽之间延伸在一些实施例中。
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