江西模块价格比较 江苏芯钻时代电子科技供应

    图2是本实用新型的非绝缘双塔型二极管模块的结构示意图。其中1—底板，2—上过渡层，3—二极管芯片，4一下过渡层，5—连接桥，6—主电极，61—过孔，7—绝缘体，8—软弹性胶，9一外壳，91一定位凹槽，具体实施方式见图1所示的非绝缘双塔型二极管模块，包括底板l、二极管芯片3、主电极6以及外壳9，底板1采用镀镍铜板或其它导电板，而二极管芯片3的下端面通过下过渡层4固定连接在底板1上，二极管芯片3的上端面通过上过渡层2与连接桥板5的一侧固定连接，上过渡层2和下过渡层4均是能与二极管芯片3、底板1以及连接桥板5连接的钼片、钨片或可伐片等，通过上、下过渡层使二极管芯片3可靠地与底板1和连接桥板5连接，该连接可采用焊接或粘接等固定方式，特别是钼片的热膨胀系数接近于二极管芯片，减少热应力。本实用新型的连接桥板5是具有两个以上折弯的条板，如图2所示，连接桥板5具有三折，且连接桥板5为两端平板中部凸起的梯形；或连接桥板5为两端平板且中部凸起弓形；连接桥板5也可以是多折，弯折后的连接桥板5能吸收和释放机械应力和热应力，连接桥板5的另一侧通过绝缘体7固定在底板1上，该绝缘体7是两面涂有或覆有金属层的陶瓷片，可采用烧结或键合工艺制造。

尽管我国拥有比较大的功率半导体市场，但是目前国内功率半导体产品的研发与国际大公司相比还存在很大差距，特别是IGBT等器件差距更加明显。技术均掌握在发达国家企业手中，IGBT技术集成度高的特点又导致了较高的市场集中度。跟国内厂商相比，英飞凌、三菱和富士电机等国际厂商占有的市场优势。形成这种局面的原因主要是：1、国际厂商起步早，研发投入大，形成了较高的壁垒。2、国外制造业水平比国内要高很多，一定程度上支撑了国际厂商的技术优势。中国功率半导体产业的发展必须改变目前技术处于劣势的局面，特别是要在产业链上游层面取得突破，改变目前功率器件领域封装强于芯片的现状。总的来说，在技术差距方面有：高铁、智能电网、新能源与高压变频器等领域所采用的IGBT模块规格在6500V以上，技术壁垒较强；IGBT芯片设计制造、模块封装、失效分析、测试等IGBT产业**技术仍掌握在发达国家企业手中。近几年中国IGBT产业在国家政策推动及市场牵引下得到迅速发展，已形成了IDM模式和代工模式的IGBT完整产业链，IGBT国产化的进程加快，有望摆脱进口依赖。受益于新能源汽车、轨道交通、智能电网等各种利好措施，I希望国产IGBT企业能从中崛起。

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