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    但栅极连线的寄生电感和栅极-集电极之间的电容耦合，也会产生使氧化膜损坏的振荡电压。为此，通常采用绞线来传送驱动信号，以减小寄生电感。在栅极连线中串联小电阻可以抑制振动电压。由于IGBT的栅极-发射极之间和栅极-集电极之间存在着分布电容，以及发射极驱动电路中存在着分布电感，这些分布参数的影响，使IGBT的实际驱动波形与理想驱动波形不完全相同，并且产生了不利于IGBT开通和关断的因素。如图1所示。在t0时刻，栅极驱动电压开始上升，此时影响栅极电压上升斜率的主要因素只有Rg和Cge，栅极电压上升较快。在t1时刻达到IGBT的栅极门槛值，集电极电流开始上升。从此时有两个因素影响Uge波形偏离原来的轨迹。首先，发射极电路中的分布电感Le上的感应电压随着集电极电流Ic的增大而加大，从图1而削弱了栅极驱动电压的上升，并且降低了栅极-发射极间的电压上升率，减缓了集电极的电流增长。其次，另一个影响栅极驱动电路电压的因素是栅极-集电极电容Cgc的密勒效应。t2时刻，集电极电流达到**大值，Uce迅速下降使栅极-集电极电容Cgc开始放电，在驱动电路中增加了Cgc的容性电流，使得驱动电路内阻抗上的压降增加，也削弱了栅极驱动电压的进一步上升。显然。

    我们该如何更好地区保护晶闸管呢？在使用过程中，晶闸管对过电压是很敏感的。过电流同样对晶闸管有极大的损坏作用。西安瑞新公司给大家介绍晶闸管的保护方法，具体如下：1、过电压保护晶闸管对过电压很敏感，当正向电压超过其断态重复峰值电压UDRM一定值时晶闸管就会误导通，引发电路故障；当外加反向电压超过其反向重复峰值电压URRM一定值时，晶闸管就会立即损坏。因此，必须研究过电压的产生原因及抑制过电压的方法。过电压产生的原因主要是供给的电功率或系统的储能发生了激烈的变化，使得系统来不及转换，或者系统中原来积聚的电磁能量来不及消散而造成的。主要发现为雷击等外来冲击引起的过电压和开关的开闭引起的冲击电压两种类型。由雷击或高压断路器动作等产生的过电压是几微秒至几毫秒的电压尖峰，对晶闸管是很危险的。由开关的开闭引起的冲击电压又分为如下几类：（1）交流电源接通、断开产生的过电压例如，交流开关的开闭、交流侧熔断器的熔断等引起的过电压，这些过电压由于变压器绕组的分布电容、漏抗造成的谐振回路、电容分压等使过电压数值为正常值的2至10多倍。一般地，开闭速度越快过电压越高，在空载情况下断开回路将会有更高的过电压。。

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