安徽模块厂家供应 江苏芯钻时代电子科技供应

    其总损耗与开关频率的关系比较大，因此若希望IGBT工作在更高的频率，可选择更大电流的IGBT模块；另一方面，软开关主要是降低了开关损耗，可使IGBT模块工作频率**提高。随着IGBT模块耐压的提高，IGBT的开关频率相应下降，下面列出英飞凌IGBT模块不同耐压，不同系列工作频率fk的参考值。600V“DLC”开关频率可达到30KHz600V“KE3”开关频率可达到30KHz1200V“DN2”开关频率可达到20KHz1200V“KS4”开关频率可达到40KHz1200V“KE3”开关频率可达到10KHz1200V“KT3”开关频率可达到15KHz1700V“DN2”开关频率可达到10KHz1700V“DLC”开关频率可达到5KHz1700V“KE3”开关频率可达到5KHz3300V“KF2C”开关频率可达到3KHz6500V“KF1”开关频率可达到1KHz。

    供应富士IGBT模块富士电机作为IGBT硅片生产**厂家,**早将IGBT模块引入中国。经过十几年的不断发展,半导体器件已在国内UPS、电镀电源、变频器领域得到了***应用，已成为经典使用器件。U4系列IGBT为变频器优先模块，极具性价比。武汉新瑞科电气技术有限公司成立于1996年，有着十多年功率半导体的销售经验,为富士功率半导体器件在中国区域的授权代理商，负责富士功率半导体在中国市场的推广和销售工作,可以提供强大的技术支持,常备大量现货，欢迎选购！以下型号我公司常备现货：7MBR10SA1207MBR15SA1207MBR25SA1207MBR35SB1207MBR50SB1207MBR50UA1207MBR75U4B1207MBR100U4B1202MBI75U4A-1202MBI100U4A-1202MBI150U4A-1202MBI150U4B-1202MBI150U4H-1202MBI200U4H-1202MBI300U4H-1202MBI400U4H-1206MBI75U4B-1206MBI100U4B-1206MBI150U4B-1206MBI225U4-1206MBI300U4-1206MBI450U4-1202MBI225VN-1202MBI300VN-1202MBI450VN-1202MBI600VN-1207MBP75RA1207MBP150RA120另外变频器上常用器件日本瑞萨（RENESAS）高压MOSFET，性能优越，价格便宜，2SK2225在通用变频器上得到***的应用，2SK1317在高压变频器上应用***，欢迎广大客户选用我公司代理的产品。

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