云南常规模块 江苏芯钻时代电子科技供应

    igbt简介IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。IGBT模块IGBT模块是由IGBT（绝缘栅双极型晶体管芯片）与FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品；封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上。IGBT模块特点IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT也指IGBT模块；随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见。IGBT结构上图所示为一个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构，N+区称为源区，附于其上的电极称为源极（即发射极E）。N基极称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极（即门极G）。

    通过电阻和igbt模块导通压降vce-sat的分压原理：，不检测故障，vce-sat检测被禁止，该状态下不检测vce，原因是igbt***状态vce电压为关断电压;下管vce-sat检测电路由r15,d12,r16构成vce-sat采样电路:当驱动信号drv_l为高电平（15v）时，通过电阻和igbt模块导通压降vce-sat的分压原理：，采样信号vce_h，r6和r7构成分压电路(通过r6和r7设定保护值)，比较信号comp_h，通过vce_h与comp_h的比较实现vce饱和压降的检测，并输出故障信号fault_h：当vce_h小于comp_h，fault_h为高电平，正常状态；当vce_h大于comp_h，fault_h为低电平，报故障状态;当驱动信号drv_h为低电平（-15v）时，通过电阻和igbt模块导通压降vce-sat的分压原理：，不检测故障，vce-sat检测被禁止，该状态下不检测vce，原因是igbt***状态vce电压为关断电压;当fault_h为低电平时,光耦u1_out输出高电平，经过d5和v5后故障信号fault_p为低电平，对驱动信号进行***。下管vce-sat检测电路由r15,d12,r16构成vce-sat采样电路，采样信号vce_l，r13和r14构成分压电路(通过r13和r14设定保护值)，比较信号comp_l，通过vce_l与comp_l的比较实现vce-sat的检测，并输出故障信号fault_l，当fault_l为低电平时。

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