前者的缺陷是将增加等效输入电容Cin，从而影响开关速度，后者的缺陷是将减小输入阻抗，增大驱动电流，使用时应根据需要取舍。②尽管IGBT所需驱动功率很小，但由于MOSFET存在输入电容Cin，开关过程中需要对电容充放电，因此驱动电路的输出电流应足够大，这一点设计者往往忽略。假定开通驱动时，在上升时间tr内线性地对MOSFET输入电容Cin充电，则驱动电流为Igt=CinUgs/tr，其中可取tr=2。2RCin，R为输入回路电阻。③为可靠关闭IGBT，防止擎住现象，要给栅极加一负偏压，因此采用双电源供电。IGBT集成式驱动电路IGBT的分立式驱动电路中分立元件多，结构复杂，保护功能比较完善的分立电路就更加复杂，可靠性和性能都比较差，因此实际应用中大多数采用集成式驱动电路。日本富士公司的EXB系列集成电路、法国汤姆森公司的UA4002集成电路等应用都很广。IPM驱动电路设计IPM对驱动电路输出电压的要求很严格，具体为:①驱动电压范围为15V±10%?熏电压低于13．5V将发生欠压保护，电压高于16．5V将可能损坏内部部件。②驱动电压相互隔离，以避免地线噪声干扰。③驱动电源绝缘电压至少是IPM极间反向耐压值的两倍(2Vces)。④驱动电流可以参阅器件给出的20kHz驱动电流要求。
图2是本实用新型装有IGBT功率组件和直流母线电容组件的结构示意图；图3是本实用新型装有IGBT功率组件的结构示意图；图4是本实用新型的直流母线电容组件的结构示意图；图5是本实用新型的交流输出铜排的结构示意图；图6是本实用新型的分解结构示意图；图7是本实用新型的分解结构示意图。其中：1：箱体2：IGBT功率组件3：直流母线电容组件4：叠层母排5：一绝缘层6：液冷换热器7：钣金隔板8：交流输出铜排9：放电电阻10：箱体底座11：直流母线电容12：钣金固定板13：正叠层铜排14：负叠层铜排15：第二绝缘层16：IGBT驱动板17：IGBT元件18：连接口19：汇流爪20：铜排21：绝缘固定块22：缺口23：小孔24：大孔25：连接孔26：凹槽27：把手。具体实施方式以下参照附图及实施例对本实用新型进行详细的说明。如图1-4所示，本实用新型的IGBT功率模块，包括箱体1以及设置在箱体内的IGBT功率组件2和直流母线电容组件3，箱体包括顶部的散热板和底部的箱体底座、连接散热板和箱体底座的侧板和箱体底座上方设置的护板。箱体内还包括叠层母排4、一绝缘层5、液冷换热器6、钣金隔板7、交流输出铜排8和放电电阻9。所述的直流母线电容组件包括多个直流母线电容11和钣金固定板12。
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