
尽管有些真正的结近似这种理想情况,大多数结是弯曲的。曲率加强了电场,降低了击穿电压。曲率半径越小,击穿电压越低。这个效应对薄结的击穿电压由很大的影响。大多数肖特基二极管在金属-硅交界面边缘有一个很明显的断层。电场强化能极大的降低肖特基二极管的测量击穿电压,除非有特别的措施能削弱Schottkybarrier边缘的电场。齐纳二极管怎么使用稳压二极管要工作有两个条件:1、反向加在稳压二极管上的电压要大于稳压管的稳压值。2、通过稳压管的电流要达到其工作条件(也就是反向电流要足够大,一般至少是几个mA)。稳压二极管稳压电路图由硅稳压管组成的简单稳压电路如图5-l9(a)所示。硅稳压管DW与负载Rfz,并联,R1为限流电阻。这个电路是怎样进行稳压的呢?若电网电压升高,整流电路的输出电压Usr也随之升高,引起负载电压Usc升高。由于稳压管DW与负载Rfz并联,Usc只要有根少一点增长,就会使流过稳压管的电流急剧增加,使得I1也增大,限流电阻R1上的电压降增大,从而抵消了Usr的升高,保持负载电压Usc基本不变。反之,若电网电压降低,引起Usr下降,造成Usc也下降,则稳压管中的电流急剧减小,使得I1减小,R1上的压降也减小,从而抵消了Usr的下降。
因此务必在齐纳二极管有电流经过时进行检查。理想的情况是正负温度系数完全相互抵消,但是这不切实际也没有必要,简单的改进便已足够。在二极管具有高电压且正温度系数更高的情况下,可以使用两个(或两个以上)二极管改进抵消的效果。图2显示了在工作温度范围为25°C~100°C时,在没有串联二极管、串联一个二极管和串联两个二极管的情况下,图1中计算得出的电压调整偏差与不同齐纳二极管输出电压的对比情况。图2中的垂直线显示增加串联二极管后,在,与温度相关的误差可以减少3~5%。图2:将一个或多个二极管与电压值超过。第2个例子中使用了转换器,该转换器要求电平移位器向控制电路发送输出电压信息。图3是一个负输入到正输出的反相降压-升压电路。控制电路以-Vin轨为基准,输出电压以接地端为基准。为了使控制电路精确调整输出电压,电平移位器重建了“FB和-Vin”间的差分“Vout到GND”电压。在这一实现中,约等于(Vout-VbeQ1)/R的电流源从Vout流向Vin。电流在较低电阻中流动,重建以-Vin为基准的输出电压。增加Q2,配置成二极管,可以恢复Q1产生的Vbe压降损失。此时,除了与beta相关的小误差,FB引脚处的电平位移电压差不多复制了Vout和GND间的电压。
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