包括：装设于支架本体的安装位上的功率模块，穿设于所述连接柱的pcb板，所述功率模块的背部还设有导热垫，所述导热垫的背部设有散热体。其中，所述功率模块上设有定位孔，所述定位孔与所述容纳槽底部的定位柱插装。其中，所述散热体上设有多个螺纹孔柱，所述导热垫上设有与所述螺纹孔柱对应的安装孔，组装时，螺纹孔柱与支架本体上的连接柱对应。其中，所述pcb板上设有与连接柱对应的穿孔，组装时，pcb板通过所述穿孔穿设于支架本体的连接柱上，所述连接柱内穿设有螺钉，所述螺钉的另一端螺接于散热体上的螺纹孔柱，以致将pcb板、支架本体，功率模块、导热垫和散热体固定连接。与现有技术相比，本实用新型的一种功率模块支架及其功率模块机构，将多个该功率模块集成到一起，进行统一安装和定位，实现模块装配的集成化，节省生产成本、提高了生产效率。上述说明是本实用新型技术方案的概述，为了能够更清楚了解本实用新型技术手段，可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本实用新型的上述和其它目的、特征及优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，详细说明如下。附图说明图1为本实用新型的功率模块机构的整体结构示意图。图2为本实用新型的功率模块机构的图。
20-电流检测区域；201-第二发射极单元；202-第三发射极单元；30-接地区域；100-公共栅极单元；200-公共集电极单元；40-检测电阻；2-一发射极单元金属；3-空穴收集区电极金属；4-氧化物；5-多晶硅；6-n+源区；7-p阱区；8-空穴收集区；9-n型耐压漂移层；11-p+区；12-公共集电极金属；13-接触多晶硅；50-半导体功率模块；51-igbt芯片；52-驱动集成块；521-模块引线端子；522-导线；60-dcb板。具体实施方式为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。如图1所示，igbt器件是由bjt(bipolarjunctiontransistor，双极型三极管)和mos(metaloxidesemiconductor，绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。在实际应用中，igbt器件兼有mosfet(metal-oxide-semiconductorfield-effecttransistor，金氧半场效晶体管)的高输入阻抗和gtr(gianttransistor，电力晶体管)的低导通压降两方面的优点。
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