四川常见Mitsubishi三菱可控硅模块销售价格 江苏芯钻时代电子科技供应

    VVGDNon-triggeringgatevoltage门极不触发电压-VVFGMPeakForwardGateVoltage门极正向峰值电压-VVRGMPeakReverseGateVoltage门极反向峰值电压-VIFGMPeakForwardGateCurrent门极正向峰值电流-AVTMPeakForwardOn-StateVoltage通态峰值电压它是可控硅通以规定倍数额定电流时的瞬态峰值压降。为减少可控硅的热损耗，应尽可能选择VTM小的可控硅VdV/dtCriticalRateofRiseofOff-stateVoltage断态临界电压上升率dv/dt指的是在关断状态下电压的上升斜率，这是防止误触发的一个关键参数。此值超限将可能导致可控硅出现误导通的现象。由于可控硅的制造工艺决定了A2与G之间会存在寄生电容，如图2所示。我们知道dv/dt的变化在电容的两端会出现等效电流，这个电流就会成为Ig，也就是出现了触发电流，导致误触发V/uS(dI/dt)cCriticalrateofdecreaseofcommutatingon-statecurrent通态电流临界上升率指在规定条件下，晶闸管能承受而无有害影响的大通态电流上升率。如果电流上升太快，则晶闸管刚一开通，便会有很大的电流集中在门极附近的小区域内，从而造成局部过热而使晶闸管损坏。A/msdVCOM/dtCriticalrateofchangeofcommutatingvoltage临界转换电压上升率切换电压上升率dVCOM/dt。

    j-a)ThermalResistanceJunction-to-ambient热阻-结到环境-℃/WIGTTriggeringgatecurrent门极触发电流为了使可控硅可靠触发，触发电流Igt选择25度时max值的α倍，α为门极触发电流—结温特性系数，查数据手册可得，取特性曲线中低工作温度时的系数。若对器件工作环境温度无特殊需要，通常选型时α取大于。mAIHHoldingCurrent维持电流维持可控硅维持通态所必需的小主电流，它与结温有关，结温越高，则IH越小。mAILLatchingCurrent(IGT3)接入电流(第三象限)/擎住电流擎住电流是晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后，能维持导通所需的小电流。对同一晶闸管来说，通常IL约为IH的2--4倍。mAIDOff-stateleakagecurrent断态漏电流-mAVGTTriggeringgatevoltage门极触发电压—可以选择Vgt25度时max值的β倍。β为门极触发电压—结温特性系数，查数据手册可得，取特性曲线中低工作温度时的系数。若对器件工作环境温度无特殊需要，通常选择时β取1~。

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