VVGDNon-triggeringgatevoltage门极不触发电压-VVFGMPeakForwardGateVoltage门极正向峰值电压-VVRGMPeakReverseGateVoltage门极反向峰值电压-VIFGMPeakForwardGateCurrent门极正向峰值电流-AVTMPeakForwardOn-StateVoltage通态峰值电压它是可控硅通以规定倍数额定电流时的瞬态峰值压降。为减少可控硅的热损耗，应尽可能选择VTM小的可控硅VdV/dtCriticalRateofRiseofOff-stateVoltage断态临界电压上升率dv/dt指的是在关断状态下电压的上升斜率，这是防止误触发的一个关键参数。此值超限将可能导致可控硅出现误导通的现象。由于可控硅的制造工艺决定了A2与G之间会存在寄生电容，如图2所示。我们知道dv/dt的变化在电容的两端会出现等效电流，这个电流就会成为Ig，也就是出现了触发电流，导致误触发V/uS(dI/dt)cCriticalrateofdecreaseofcommutatingon-statecurrent通态电流临界上升率指在规定条件下，晶闸管能承受而无有害影响的大通态电流上升率。如果电流上升太快，则晶闸管刚一开通，便会有很大的电流集中在门极附近的小区域内，从而造成局部过热而使晶闸管损坏。A/msdVCOM/dtCriticalrateofchangeofcommutatingvoltage临界转换电压上升率切换电压上升率dVCOM/dt。
在额定结温下对应于断态不重复峰值电压下的平均漏电流。AVTOOnstatethresholdvoltage门槛电压-VIT(RMS)On-StateRMSCurrent(fullsinewave)通态电流均方值AITSMNon-RepetitivePeakon-stateCurrent通态浪涌电流(通态不重复峰值电流)浪涌电流是指由于电路异常情况引起的使结温超过额定结温的不重复性大正向过载电流。浪涌电流有上下两个级，这个参数可用来作为设计保护电路的依据。AIGMForwardPeakGateCurrent门极峰值电流-AI2TCircuitFusingConsideration周期电流平方时间积-A2sesdIT/dtRepetitiverateofriseofon-statecurrentaftertriggering(IGT1~IGT3)通态临界电流上升率当双向可控硅或闸流管在门极电流触发下导通，门极临近处立即导通，然后迅速扩展至整个有效面积。这迟后的时间有一个极限，即负载电流上升率的许可值。过高的dIT/dt可能导致局部烧毁，并使T1-T2短路。假如过程中限制dIT/dt到一较低的值，双向可控硅可能可以幸存。因此，假如双向可控硅的VDRM在严重的、异常的电源瞬间过程中有可能被超出或导通时的dIT/dt有可能被超出，可在负载上串联一个几μH的不饱和（空心）电感。
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