
其中有一条就是温度高低变化时三极管的静态电流不能改变,即VT1基极电流不能随温度变化而改变,否则就是工作稳定性不好。了解放大器的这一温度特性,对理解VD1构成的温度补偿电路工作原理非常重要。2)三极管VT1有一个与温度相关的不良特性,即温度升高时,三极管VT1基极电流会增大,温度愈高基极电流愈大,反之则小,显然三极管VT1的温度稳定性能不好。由此可知,放大器的温度稳定性能不良是由于三极管温度特性造成的。2.三极管偏置电路分析电路中,三极管VT1工作在放大状态时要给它一定的直流偏置电压,这由偏置电路来完成。电路中的R1、VD1和R2构成分压式偏置电路,为三极管VT1基极提供直流工作电压,基极电压的大小决定了VT1基极电流的大小。如果不考虑温度的影响,而且直流工作电压+V的大小不变,那么VT1基极直流电压是稳定的,则三极管VT1的基极直流电流是不变的,三极管可以稳定工作。在分析二极管VD1工作原理时还要搞清楚一点:VT1是NPN型三极管,其基极直流电压高,则基极电流大;反之则小。3.二极管VD1温度补偿电路分析根据二极管VD1在电路中的位置,对它的工作原理分析思路主要说明下列几点:1)VD1的正极通过R1与直流工作电压+V相连。
以及然后b)获得电压的指数函数,其中该函数通过两个点或者在多于两个点的情况下则靠近点。然后,饱和电流密度是指数函数针对零电压的值。在步骤a)期间,特性的每个点的电压值被测量,使得它基本上不包括例如在1mv内的、二极管的寄生接入电阻的电压降。每个点的电流密度对应于流过二极管的电流值除以俯视图中沟槽之间的表面积。在步骤b)中,推荐地通过将电流密度的对数与指数函数的对数之间的差的平方和小化来确定指数函数。当二极管被反向偏置时,由区域306通过层308引起的静电影响使得能够限制沟道区域和漏极区域中的电场(即,相对于区域306和层308不在那里的情况下的电场,减小了该电场)。这限制了二极管中的漏电流。此外,这使得能够在漏极区域的给定掺杂水平下增加雪崩电压以及/或者在给定雪崩电压下增加漏极区域的掺杂水平。增加漏极区域的掺杂水平的优点在于,当该掺杂水平高时,二极管的电导率更大,并且当电流在正向方向上流动时,二极管中的电压降因此受到限制。作为示例,漏极区域具有的掺杂水平在从。沟道区域具有的掺杂水平例如在从。此外,沟槽被分离的距离例如在从μm到μm的范围内)。在沟道区域的较低水平下。
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