河北加工Mitsubishi三菱IPM模块 江苏芯钻时代电子科技供应

    igbt芯片的边缘还设置有终端保护区域，其中，终端保护区域包括在n型耐压漂移层上设置的多个p+场限环或p型扩散区；从而通过多个p+场限环或p型扩散区对igbt芯片进行耐压保护，在实际应用中，由于p+场限环或p型扩散区的数量与igbt芯片的电压等级有关，因此，关于p+场限环或p型扩散区的数量，本发明实施例对此不作限制说明。具体地，图7示出了一种igbt芯片的表面结构图，如图7所示，一发射极单元金属2为一发射极单元101在一表面中的设置位置，空穴收集区电极金属3为电流检测区域20的电极空穴收集区在一表面中的设置位置。当改变电流检测区域20的形状时，如指状或者梳妆时，igbt芯片的表面结构如图8所示，本发明实施例对此不作限制说明。在图7的基础上，图9为图7中的空穴收集区电极金属3按照a-a’方向的横截图，如图9所示，电流检测区域20的空穴收集区8与空穴收集区电极金属3接触，在每个沟槽内填充有多晶硅5，此外，在两个沟槽中间，还设置有p阱区7和n+源区6，以及，在沟槽与多晶硅5中间设置有氧化物4，以防多晶硅5发生氧化。此外，在一表面和第二表面之间，还设置有n型耐压漂移层9和导电层，这里导电层包括p+区11，以及在p+区11下面设置有公共集电极金属12。

    包括：装设于支架本体的安装位上的功率模块，穿设于所述连接柱的pcb板，所述功率模块的背部还设有导热垫，所述导热垫的背部设有散热体。其中，所述功率模块上设有定位孔，所述定位孔与所述容纳槽底部的定位柱插装。其中，所述散热体上设有多个螺纹孔柱，所述导热垫上设有与所述螺纹孔柱对应的安装孔，组装时，螺纹孔柱与支架本体上的连接柱对应。其中，所述pcb板上设有与连接柱对应的穿孔，组装时，pcb板通过所述穿孔穿设于支架本体的连接柱上，所述连接柱内穿设有螺钉，所述螺钉的另一端螺接于散热体上的螺纹孔柱，以致将pcb板、支架本体，功率模块、导热垫和散热体固定连接。与现有技术相比，本实用新型的一种功率模块支架及其功率模块机构，将多个该功率模块集成到一起，进行统一安装和定位，实现模块装配的集成化，节省生产成本、提高了生产效率。上述说明是本实用新型技术方案的概述，为了能够更清楚了解本实用新型技术手段，可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本实用新型的上述和其它目的、特征及优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，详细说明如下。附图说明图1为本实用新型的功率模块机构的整体结构示意图。图2为本实用新型的功率模块机构的图。

江苏芯钻时代电子科技有限公司，专业从事电气线路保护设备和电工电力元器件模块的服务与销售，具有丰富的熔断器、电容器、IGBT模块、二极管、可控硅、IC类销售经验的专业公司。公司以代理分销艾赛斯、英飞凌系列、赛米控系列，富士系列等模块为主，同时经营销售美国巴斯曼熔断器、 西门子熔断器、美尔森熔断器、力特熔断器等电气保护。