辽宁品质MOS管工厂直销 江苏芯钻时代电子科技供应

    栅极电压还没有到达VGS（th），导电沟道没有形成，MOSFET仍处于关闭状态。2.[t1-t2]区间,GS间电压到达Vgs（th），DS间导电沟道开始形成，MOSFET开启，DS电流增加到ID,Cgs2迅速充电，Vgs由Vgs（th）指数增长到Va。3.[t2-t3]区间,MOSFET的DS电压降至与Vgs相同,产生Millier效应，Cgd电容增加,栅极电流持续流过，由于Cgd电容急剧增大，抑制了栅极电压对Cgs的充电,从而使得Vgs近乎水平状态，Cgd电容上电压增加,而DS电容上的电压继续减小。4.[t3-t4]区间,至t3时刻,MOSFET的DS电压降至饱和导通时的电压,Millier效应影响变小，Cgd电容变小并和Cgs电容一起由外部驱动电压充电,Cgs电容的电压上升,至t4时刻为止.此时Cgs电容电压已达稳态,DS间电压也达小，MOSFET完全开启。

    我们看下面FLYBACK电流波形图（图形不是太清楚，十分抱歉，建议双击放大观看）。从图中可以看出，电流波形在快到电流尖峰时，有个下跌，这个下跌点后又有一段的上升时间，这段时间其本质就是IC在检测到过流信号执行关断后，MOSFET本身也开始执行关断，但是由于器件本身的关断延迟，因此电流会有个二次上升平台，如果二次上升平台过大，那么在变压器余量设计不足时，就极有可能产生磁饱和的一个电流冲击或者电流超器件规格的一个失效。3：合理的热设计余量，这个就不多说了，各个企业都有自己的降额规范，严格执行就可以了，不行就加散热器。在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，大电压等，大电流等，也有很多人考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是的，作为正式的产品设计也是不允许的。1、MOS管种类和结构MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被**成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。

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