进口二极管供应商 江苏芯钻时代电子科技供应

    [7]二极管双向触发二极管将万用表置于相应的直流电压挡，测试电压由兆欧表提供。[8]测试时，摇动兆欧表，万同样的方法测出VBR值。后将VBO与VBR进行比较，两者的较为值之差越小，说明被测双向触发二极管的对称性越好。[8]二极管瞬态电压抑制二极管用万用表测量管子的好坏对于单要极型的TVS，按照测量普通二极管的方法，可测出其正、反向电阻，一般正向电阻为4kΩ左右，反向电阻为无穷大。[8]对于双向极型的瞬态电压抑制二极管，任意调换红、黑表笔测量其两引脚间的电阻值均应为无穷大，否则，说明管子性能不良或已经损坏。[8]二极管高频变阻二极管识别正、负极高频变阻二极管与普通二极管在外观上的区别是其色标颜色不同，普通二极管的色标颜色一般为黑色，而高频变阻二极管的色标颜色则为浅色。其极性规律与普通二极管相似，即带绿色环的一端为负极，不带绿色环一端为正极。[8]二极管变容二极管将万用表红、黑表笔怎样对调测量，变容二极管的两引脚间的电阻值均应为无穷大。如果在测量中，发现万用表指针向右有轻微摆动或阻值为零，说明被测变容二极管有漏电故障或已经击穿坏。[8]二极管单色发光二极管在万用表外部附接一节能，将万用表置R×10或R×100挡。

    沟槽穿透到衬底中向下至例如μm和8μm之间的水平。图2a至图2f图示了使用与图1的结构30相同的元件制造图1的结构30的变型的方法的实现方式的连续步骤。在图2a的步骤中，将沟槽22蚀刻到衬底中。为了实现这一点，作为示例，衬底被覆盖有未示出的掩模层，掩膜层例如由氧化硅制成。例如通过光刻将开口形成到未来沟槽位置上方的掩模层中，之后对沟槽进行蚀刻。然后去除掩蔽层。此后，例如通过沟槽壁的热氧化和/或通过沉积氧化硅层，共形地形成层308。层308覆盖沟槽壁。层308还可以覆盖沟槽外部的衬底20。层308的厚度小于沟槽宽度的一半，使得开口500保持在沟槽的中心处。在图2b的步骤中，利用区域306的传导材料来填充开口500，例如直到衬底的上部水平或者直到接近衬底的上部水平的水平。为此目的，例如执行掺杂多晶硅的共形沉积。然后将多晶硅向下蚀刻至期望水平。由此获得区域306。在图2c的步骤中，从未来区域302的上表面到下部水平蚀刻层308。作为示例，化学地执行蚀刻。因此，在区域306的任一侧上、在沟槽的上部部分中获得腔502。在图2d的步骤中，形成层304。为此目的，作为示例，沟槽壁和区域306的在图2c的步骤中可以接近的部分被热氧化。

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