快速恢复整流二极管和超快恢复整流二极管在开关电源中作为整流器件使用时是否需要散热器，要根据电路的大功率来决定。一般情况下，这些二极管在制造时允许的结温在175℃，生产厂家对该指标都有技术说明，以提供给设计者去计算大的输出工作电流、电压及外壳温度等。肖特基整流二极管即使在大的正向电流作用下，其正向压降也很低，有，而且，随着结温的增加，其正向压降更低，因此，使得肖特基整流二极管特别适用于5V左右的低电压输出电路中。肖特基整流二极管的反向恢复时间是可以忽略不计的，因为此器件是多数载流子半导体器件，在器件的开关过程中，没有少数载流子存贮电荷的问题。肖特基整流二极管有两大缺点：其一，反向截止电压的承受能力较低，产品大约为100V;其二，反向漏电流较大，使得该器件比其他类型的整流器件更容易受热击穿。当然，这些缺点也可以通过增加瞬时过电压保护电路及适当控制结温来克服。表示出了典型的高速整流二极管的特性与参数。
区域302和壁分离短距离d，其推荐地小于10nm，例如小于7nm。每个结构30进一步包括在沟槽中比区域302更低地延伸的电传导区域306。在图1所示的示例中，区域306从区域302延伸。换言之，区域302和306是单件。区域306例如位于比区域302更远离沟槽壁。区域302例如通过覆盖沟槽22的壁和底部的电介质层308与衬底10分离。层308的厚度例如大于约100nm，推荐地在从250nm到1000nm的范围内。结构30a包括与结构30相同的元件。然而，重要的是在二极管的外侧上不存在上文提到的短距离d。作为示例，层308于是在二极管的外侧上在区域302与沟槽壁之间继续。层308可以连接覆盖二极管的上的衬底的绝缘层44。作为示例，区域302和306由掺杂的多晶硅制成，并且层304和308由氧化硅制成。如下文在二极管10的特定情况下所讨论，由此获得的区域302和306在施加电势时能够对与层304和308接触的衬底部分施加不同的静电影响。特别地，区域302距离衬底越近，与层304接触的衬底部分上的静电影响越强。然后可以在与每个层304接触的衬底部分中形成晶体管t1，所考虑的区域302形成晶体管栅极。作为示例，晶体管t1具有n沟道。每个晶体管包括p型掺杂的沟道区域202(p)。作为示例。
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