2）IGBT模块的散热器应根据使用条件和环境及IGBT模块参数进行匹配选择，以保证GBT模块工作时对散热器的要求。为了减少接触热阻，推荐在散热器与IGBT模块之间涂上一层很薄的导热硅脂。3）IGBT模块安装到散热片上时，要先在模块的反面涂上散热绝缘混合剂（导热膏），再用推荐的夹紧力距充分旋紧。另外，散热片上安装螺丝的位置之间的平坦度应控制在100μm以下，表面粗糙度应控制在10μm以下。散热器表面如有凹陷，会导致接触热阻（Rth（c—f）的增加。另外，散热器表面的平面度在上述范围以外时，IGBT模块安装时（夹紧时）会给IGBT模块内部的芯片与位于金属基板间的绝缘基板增加应力，有可能产生绝缘破坏。4）IGBT模块底板为铜板的模块，在散热器与IGBT模块均匀受力后，从IGBT模块边缘可看出有少许导热硅脂挤出为佳。IGBT模块底板为DBC基板的模块，散热器表面必须平整、光洁，采用丝网印刷或圆滚滚动的方法涂敷一薄层导热硅脂后，使两者均匀压接。IGBT模块直接固定在散热器上时，每个螺钉需按说明书中给出的力矩旋紧，螺钉一定要受力均匀，力矩不足导致热阻增加或运动中出现螺钉松动。两点安装紧固螺丝时，一个和第二个依次紧固额定力矩的1/3，然后反复多次使其达到额定力矩。
本发明涉及一种半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种igbt器件；本发明还涉及一种igbt器件的制造方法。背景技术：半导体功率器件是电力电子系统进行能量控制和转换的基本电子元器件，电力电子技术的不断发展为半导体功率器件开拓了广泛的应用领域。以绝缘栅双极型晶体管(insulatedgatebipolartransistor，igbt)和金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)为标志的半导体功率器件是当今电力电子领域器件的主流，其中，igbt器件是一种电压控制的mosfet和双极型三极管(bjt)的复合型器件。从结构上，igbt的结构与垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(vdmos)相似，只是将vdmos的n+衬底换为p+衬底，引入的电导调制效应，克服了vdmos本身固有的导通电阻与击穿电压的矛盾，从而使igbt同时具有双极型功率晶体管和mosfet的共同优点：输入阻抗高、输入驱动功率小、导通压降低、电流容量大、开关速度快等。由于igbt独特的、不可取代的性能优势使其自推出实用型产品便在诸多领域得到广泛的应用，例如：太阳能发电、风力发电、动车、高铁、新能源汽车以及众多能量转换领域。为了进一步降低igbt的导通压降，igbt的栅极结构从平面栅结构优化到沟槽栅结构，沟槽栅igbt将沟道从横向变为纵向。
江苏芯钻时代电子科技有限公司，专业从事电气线路保护设备和电工电力元器件模块的服务与销售，具有丰富的熔断器、电容器、IGBT模块、二极管、可控硅、IC类销售经验的专业公司。公司以代理分销艾赛斯、英飞凌系列、赛米控系列，富士系列等模块为主，同时经营销售美国巴斯曼熔断器、 西门子熔断器、美尔森熔断器、力特熔断器等电气保护。
免责声明： 本页面所展现的信息及其他相关推荐信息，均来源于其对应的商铺，信息的真实性、准确性和合法性由该信息的来源商铺所属企业完全负责。本站对此不承担任何保证责任。如涉及作品内容、 版权和其他问题，请及时与本网联系，我们将核实后进行删除，本网站对此声明具有最终解释权。
友情提醒： 建议您在购买相关产品前务必确认资质及产品质量，过低的价格有可能是虚假信息，请谨慎对待，谨防上当受骗。
