江西加工Mitsubishi三菱可控硅模块现货 江苏芯钻时代电子科技供应

    VVGDNon-triggeringgatevoltage门极不触发电压-VVFGMPeakForwardGateVoltage门极正向峰值电压-VVRGMPeakReverseGateVoltage门极反向峰值电压-VIFGMPeakForwardGateCurrent门极正向峰值电流-AVTMPeakForwardOn-StateVoltage通态峰值电压它是可控硅通以规定倍数额定电流时的瞬态峰值压降。为减少可控硅的热损耗，应尽可能选择VTM小的可控硅VdV/dtCriticalRateofRiseofOff-stateVoltage断态临界电压上升率dv/dt指的是在关断状态下电压的上升斜率，这是防止误触发的一个关键参数。此值超限将可能导致可控硅出现误导通的现象。由于可控硅的制造工艺决定了A2与G之间会存在寄生电容，如图2所示。我们知道dv/dt的变化在电容的两端会出现等效电流，这个电流就会成为Ig，也就是出现了触发电流，导致误触发V/uS(dI/dt)cCriticalrateofdecreaseofcommutatingon-statecurrent通态电流临界上升率指在规定条件下，晶闸管能承受而无有害影响的大通态电流上升率。如果电流上升太快，则晶闸管刚一开通，便会有很大的电流集中在门极附近的小区域内，从而造成局部过热而使晶闸管损坏。A/msdVCOM/dtCriticalrateofchangeofcommutatingvoltage临界转换电压上升率切换电压上升率dVCOM/dt。

    sot186f-pack和更新的sot186ax-pack）。注意，sot78就是to220ab。螺栓固定：sot78组件带有m3成套安装零件，包括矩形垫圈，垫圈放在螺栓头和接头片之间。应该不对器件的塑料体施加任何力量。安装过程中，螺丝刀决不能对器件塑料体施加任何力量；和接头片接触的散热器表面应处理，保证平坦，10mm上允许偏差；安装力矩（带垫圈）应在和之间；应避免使用自攻丝螺钉，因为挤压可能导致安装孔周围的隆起，影响器件和散热器之间的热接触。安装力矩无法控制，也是这种安装方法的缺点；器件应首先机械固定，然后焊接引线。这可减少引线的不适当应力。双向可控硅参数符号编辑IT(AV)--通态平均电流VRRM--反向反复峰值电压IDRM--断态重复峰值电流ITSM--通态一个周波不反复浪涌电流VTM--通态峰值电压IGT--门极触发电流VGT--门极触发电压IH--维持电流dv/dt--断态电压临界上升率di/dt--通态电流临界上升率Rthjc--结壳热阻VISO--模块绝缘电压Tjm--额定结温VDRM--断态重复峰值电压IRRM--反向重复峰值电流IF(AV)--正向平均电流双向可控硅元件简介编辑一种以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件，创制于1957年，由于它特性类似双向可控硅于真空闸流管，所以国际上通称为硅晶体闸流管。

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