
为了实现这一点,作为示例,传导层40覆盖衬底20和沟槽22。层40例如由铝、铝-铜或铝-硅-铜制成。层40可以布置在传导界面层42上。区域302在沟槽中从层40或可能的界面层42延伸。层42例如旨在便于在层40和区域302、204、210以及可能的区域306之间形成电接触件(下面的图2a至图2f的方法)。层42可以由硅化物制成或者可以是例如由钛制成的金属层。层42可以备选地包括硅化物层和金属层,金属层覆盖硅化物层并且例如由钛制成。硅化物因此形成电接触件,而金属层提供对层40的粘附。层42可以至少部分地通过自对准硅化工艺来获得,并且硅化物然后是不连续的并且不覆盖层304的上部部分。层42的厚度推荐地小于300nm,例如小于100nm。由于区域302和沟道区域202通过上述短距离d分离的事实,可以选择沟道区域202的掺杂水平以及区域302的掺杂类型和水平来获得二极管的饱和电流密度,其在25℃时例如在1na/mm2和1ma/mm2之间。推荐地,区域202的掺杂水平在2×1016和1018原子/cm3之间。为了获得该饱和电流密度,区域302是重n型掺杂的(例如大于5×1018原子/cm3),或者更一般地通过与沟道区域202的传导类型相反的传导类型来被重掺杂。电流密度饱和度在此由以下来确定:a)测量由大于。
稳压源,放大器以及电子仪器的保护电路等瞬态电压抑制二极管又称瞬变电压抑制二极管,双向击穿二极管,简称TVS。瞬态抑制二极管不会被击穿,它能够在电压极高时降低电阻,使电流分流或控制其流向,从而保护电路元件在瞬间电压过高的情况下不被烧毁。双向触发二极管又称二端交流器件DIAC或双向二极管。常用来出发双向晶闸管,还可构成过压保护电路等。变阻二极管变阻二极管是利用PN结之间等效电阻可变的原理制成的,主要应用于10-1000MHz高频电路或开关电源等电路,做可调衰减器,起限幅,保护等作用。隧道二极管又称江崎二极管,它是以隧道效应电流为主要电流分量的二极管,结构简单,变化速度快,功耗小。在高速脉冲计数中有广泛应用。可用隧道二极管构成双稳电路,单稳电路,多谐振荡器,以及用作整形和分频。双基极二极管又称单节晶体管,是具有一个PN结的三端负阻器件。广泛应用于各种振荡器,定时器和控制器电路中磁敏二极管磁敏二极管可以在较弱的磁场作用下,产生较高的输出电压,并随着磁场方向的改变同步输出变化的正、负电压。在磁力探测,电流测量,无触点开关,位移测量,转速测量,无刷直流电机的自动控制等方面得到广泛应用。温敏二极管在一定偏置电流下。
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