所述一整流二极管及所述第二整流二极管的负极粘接于所述高压供电基岛上，正极分别连接所述火线管脚及所述零线管脚；所述第三整流二极管及第四整流二极管的正极粘接于所述信号地基岛上，负极连接分别连接所述火线管脚及所述零线管脚。可选地，所述至少两个基岛包括火线基岛及零线基岛；所述整流桥包括第五整流二极管、第六整流二极管、第七整流二极管及第八整流二极管；所述第五整流二极管及所述第六整流二极管的负极分别粘接于所述火线基岛及所述零线基岛上，正极连接所述信号地管脚；所述第七整流二极管及所述第八整流二极管的正极分别粘接于所述火线基岛及所述零线基岛上，负极连接所述高压供电管脚。更可选地，所述合封整流桥的封装结构还包括电源地管脚，所述整流桥的第二输出端通过基岛或引线连接所述电源地管脚。更可选地，所述合封整流桥的封装结构还包括高压续流二极管，所述高压续流二极管的负极通过基岛或引线连接所述高压供电管脚，正极通过基岛或引线连接所述漏极管脚；所述逻辑电路的高压端口连接所述高压供电管脚。更可选地，所述合封整流桥的封装结构还包括瞬态二极管及高压续流二极管；所述瞬态二极管的正极通过基岛或引线连接所述高压供电管脚。
n型二极管的下层为n型掺杂区，上层为p型掺杂区，下层底面镀银，上层顶面镀铝；第三整流二极管dz3及第四整流二极管dz4为p型二极管，p型二极管的下层为p型掺杂区，上层为n型掺杂区，下层底面镀银，上层顶面镀铝。所述一整流二极管dz1的负极(金属银层)通过导电胶或锡膏粘接于高压供电基岛13上，正极(金属铝层)通过金属引线连接所述零线管脚n。所述第二整流二极管dz2的负极(金属银层)通过导电胶或锡膏粘接于所述高压供电基岛13上，正极(金属铝层)通过金属引线连接所述火线管脚l。所述第三整流二极管dz3的正极(金属银层)通过导电胶或锡膏粘接于信号地基岛14上，负极(金属铝层)通过金属引线连接所述零线管脚n。所述第四整流二极管dz4的正极(金属银层)通过导电胶或锡膏粘接于所述信号地基岛14上，负极(金属铝层)通过金属引线连接所述火线管脚l。需要说明的是，所述整流二极管可以是由单一pn结构成的二极管，也可以是通过其他形式等效得到的二极管结构，包括但不限于mos管，在此不一一赘述。需要说明的是，本实用新型中所述的“连接至管脚”包括但不限于通过金属引线直接连接管脚(金属引线的一端设置在管脚上)，还包括通过金属引线连接与管脚连接的导电部件。
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