作为工作区域10和电流检测区域20的公共集电极单元200。此外，当空穴收集区8内设置有沟槽时，如图10所示，此时空穴收集区8中的沟槽与空穴收集区电极金属3接触，即接触多晶硅13。可选的，在图7的基础上，图11为图7中的空穴收集区电极金属3按照b-b’方向的横截图，如图11所示，此时，电流检测区域20的空穴收集区8与空穴收集区电极金属3接触，且，与p阱区7连通；当空穴收集区8通过设置有多晶硅5的沟槽与p阱区7隔离时，横截面如图12所示，此时，如果工作区域10设置有多晶硅5的沟槽终止于空穴收集区8的边缘时，则横截面如图13所示，且，空穴收集区8内是不包含设置有多晶硅5的沟槽的情况。此外，当空穴收集区8内包含设置有多晶硅5的沟槽时，如图14所示，此时，空穴收集区8的沟槽通过p阱区7与工作区域10内的设置有多晶硅5的沟槽隔离，这里空穴收集区8的沟槽与公共集电极金属接触并重合。因此，本发明实施例提供的一种igbt芯片，在电流检测区域20内没有开关控制电级，即使有沟槽mos结构，沟槽中的多晶硅5也与公共集电极单元200接触，且，与公共栅极单元100绝缘。又由于电流检测区域20中的空穴收集区8为p型区，可以与工作区域10的p阱区7在芯片横向上联通为一体，也可以隔离开；此外。
本实用新型的有益效果如下：1、本实用新型通过设置底座、容纳槽、一轴承、蜗杆、转盘、第二轴承、转轴、蜗轮、圆盘、传动杆、滑杆、滑环、移动框、移动板、卡杆、igbt功率模块本体和卡槽的配合使用，解决了现有igbt功率模块的安装机构操作时繁琐，不方便使用者安装igbt功率模块的问题，该igbt功率模块的安装机构，具备方便安装的优点，节省了使用者大量的时间，提高了igbt功率模块安装的效率。2、本实用新型通过设置把手，能够便于使用者通过把手转动转盘，提高了把手的实用性，通过设置滑杆和滑环，能够增加滑环滑动的稳定性，通过设置导向杆和导向槽，能够增加移动框移动的稳定性，防止移动框移动时倾斜，通过设置橡胶垫，能够增加igbt功率模块本体与底座的摩擦力，防止igbt功率模块本体在底座的顶部非正常移动。附图说明图1为本实用新型结构示意图；图2为本实用新型图1中a处结构放大图；图3为本实用新型图1中圆盘的结构俯视图。图中：1底座、2容纳槽、3一轴承、4蜗杆、5转盘、6第二轴承、7转轴、8蜗轮、9圆盘、10传动杆、11滑杆、12滑环、13移动框、14移动板、15卡杆、16igbt功率模块本体、17卡槽、18把手、19导向杆、20导向槽、21橡胶垫。
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