中国香港品质Mitsubishi三菱IGBT模块值得推荐 江苏芯钻时代电子科技供应

    本发明涉及驱动电路技术领域，具体为一种igbt驱动电路。背景技术：驱动电路位于主电路和控制电路之间，用来对控制电路的信号进行放大的中间电路(即放大控制电路的信号使其能够驱动功率晶体管)，称为驱动电路。驱动电路的作用：将控制电路输出的pwm脉冲放大到足以驱动功率晶体管—开关功率放大作用。现今市场上的igbt驱动电路多采用16v～18v的电压驱动，而在相同的饱和压降vce的情况下，igbt的驱动电压vge越高，集电极电流ic越大，所以在过高的电压下，igbt在工作时会产生较大的峰值电流，从而会使igbt的功耗较大，容易损坏。现今市场上通常解决这类问题的办法就是在igbt的输入端增加分立器件形式的稳压二极管将高电压稳定在12v或者9v来解决，这样不因增加了几个分立器件导致了成本的增加，也导致其占用了一部分pcb的面积，同时会增加电路较大的功耗。技术实现要素：本发明的目的在于提供一种igbt驱动电路，以解决上述背景技术中提出的现今市场上通常解决这类问题的办法就是在igbt的输入端增加分立器件形式的稳压二极管将高电压稳定在12v或者9v来解决，这样不因增加了几个分立器件导致了成本的增加，也导致其占用了一部分pcb的面积，同时会增加电路较大的功耗的问题。

    令各所述第二屏蔽多晶硅4b顶部对应的接触孔为屏蔽接触孔。在各所述单元结构中，所述源极接触孔11和各所述屏蔽接触孔连接成一个整体结构。通过对所述接触孔的结构进行更改就能得到图2所示的本发明第二实施例器件的结构，即：在各所述单元结构中，所述源极接触孔11和邻近的一个所述屏蔽接触孔合并成一个接触孔，邻近的所述屏蔽接触孔外侧的所述屏蔽接触孔呈结构。本发明一实施例方法中，所述igbt器件为n型器件，一导电类型为n型，第二导电类型为p型。在其他实施例方法中也能为：所述igbt器件为p型器件，一导电类型为p型，第二导电类型为n型。以上通过具体实施例对本发明进行了详细的说明，但这些并非构成对本发明的限制。在不脱离本发明原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，这些也应视为本发明的保护范围。

江苏芯钻时代电子科技有限公司，专业从事电气线路保护设备和电工电力元器件模块的服务与销售，具有丰富的熔断器、电容器、IGBT模块、二极管、可控硅、IC类销售经验的专业公司。公司以代理分销艾赛斯、英飞凌系列、赛米控系列，富士系列等模块为主，同时经营销售美国巴斯曼熔断器、 西门子熔断器、美尔森熔断器、力特熔断器等电气保护。