
具体实施方式下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。请参阅图1-3,一种igbt功率模块的安装机构,包括底座1,底座1内部的两侧均开设有容纳槽2,容纳槽2的内壁固定连接有一轴承3,一轴承3的内部固定连接有蜗杆4,蜗杆4的外端贯穿至底座1的外部固定连接有转盘5,转盘5外侧的底部固定连接有把手18,把手18与转盘5配合使用,通过设置把手18,能够便于使用者通过把手18转动转盘5,提高了把手18的实用性,容纳槽2内壁的背面固定连接有第二轴承6,第二轴承6的内部固定连接有转轴7,转轴7的表面固定连接有蜗轮8,蜗轮8与蜗杆4啮合,转轴7的前端固定连接有圆盘9,圆盘9的正面固定连接有传动杆10,容纳槽2的内部横向固定连接有滑杆11,滑杆11的表面滑动连接有滑环12,滑杆11的横截面为圆形,滑环12的横截面为圆形,滑杆11与滑环12配合使用,通过设置滑杆11和滑环12,能够增加滑环12滑动的稳定性。
空穴收集区8可以处于与一发射极单元金属2隔离的任何位置,特别的,在终端保护区域的p+场限环也可以成为空穴收集区8,本发明实施例对此不作限制说明。因此,本发明实施例提供的igbt芯片在电流检测过程中,通过检测电阻上产生的电压,得到工作区域的电流大小。但是,在实际检测过程中,检测电阻上的电压同时抬高了电流检测区域的mos沟槽沟道对地电位,即相当降低了电流检测区域的栅极电压,从而使电流检测区域的mos的沟道电阻增加。当电流检测区域的电流越大时,电流检测区域的mos的沟道电阻就越大,从而使检测电压在工作区域的电流越大,导致电流检测区域的电流与工作区域电流的比例关系偏离增大,产生大电流下的信号失真,造成工作区域在大电流或异常过流的检测精度低。而本发明实施例中电流检测区域的第二发射极单元相当于没有公共栅极单元提供驱动,即对于igbt芯片的电子和空穴两种载流子形成的电流,电流检测区域的第二发射极单元只获取空穴形成的电流作为检测电流,从而避免了检测电流受公共栅极单元的电压的影响,以及测试电压的影响而产生信号的失真,即避免了公共栅极单元因对地电位变化造成的偏差,从而提高了检测电流的精度。实施例二:在上述实施例的基础上。
江苏芯钻时代电子科技有限公司,专业从事电气线路保护设备和电工电力元器件模块的服务与销售,具有丰富的熔断器、电容器、IGBT模块、二极管、可控硅、IC类销售经验的专业公司。公司以代理分销艾赛斯、英飞凌系列、赛米控系列,富士系列等模块为主,同时经营销售美国巴斯曼熔断器、 西门子熔断器、美尔森熔断器、力特熔断器等电气保护。
免责声明: 本页面所展现的信息及其他相关推荐信息,均来源于其对应的商铺,信息的真实性、准确性和合法性由该信息的来源商铺所属企业完全负责。本站对此不承担任何保证责任。如涉及作品内容、 版权和其他问题,请及时与本网联系,我们将核实后进行删除,本网站对此声明具有最终解释权。
友情提醒: 建议您在购买相关产品前务必确认资质及产品质量,过低的价格有可能是虚假信息,请谨慎对待,谨防上当受骗。