河北本地德国SIBA西霸熔断器工厂直销 江苏芯钻时代电子科技供应

    所选择的熔断器的额定电流不得小于电容器额定电流的。END半导体器件保护熔断器选用额定电压：快速熔断器的额定电压UN应稍大于快速熔断器熔断后两端出现的故障电路的外加交流电压。若半导体设备的负荷是有源逆变器、逆变型制动的电动机等逆变型负载时，应考虑半导体器件失控等引起设备直流侧短路的可能性，此时快速熔断器熔断时，熔片两端交流电压与直流电压叠加现象，快速熔断器的额定电压应按下式计算：UN≥Uac+Udo×1/√2式中：Uac：快速熔断器熔断后外加交流电压;Udo：半导体设备负载端逆变型直流电压。额定电流：熔断器的额定电流INF是以电路中实际流过熔断器的电流有效值IF为基础，并考虑环境温度、冷却条件、电流裕度等因素影响进行计算。INF≥K×IF式中：K值一般可取。对于自冷式熔断器K取较大值，尤其对熔断器两端连接导线特别短的电路，需取最大值;对水冷式熔断器K取较小值。快速熔断器选用额定电流过大势必增加熔断器的I2tF值，对半导体器件的保护是有害的。分断I2t：当半导体器件与快速熔断器串联工作时，半导体器件允许通过的I2tD值应大于快速熔断器的I2tF值，不然熔断器熔断时，器件也被烧损。二者关系应满足：I2tF≤。分断过电压：熔断器在减弧过程中。

    图4是本发明的断线检出器一种具体实施方式的结构示意图(剖视图)。图5是本发明的断线检出器一种具体实施方式的结构示意图(侧视图)。其中，1为线圈，2为塑料外壳，3为出线端子，4为进线嘴，5为上部电极，6为安装支架，7为断线检出器，8为壳体，9为出线嘴，10为消弧筒，11为下部电极，12为保险丝筒，13为密封盖。具体实施方式以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。如图2、4和5所示，本发明提供一种熔断器，所述熔断器包括中空的壳体8以及位于所述壳体8中的保险丝筒12，所述熔断器还包括断线检出器7，所述断线检出器7套在所述壳体12外周且所述保险丝筒12穿过所述断线检出器7，所述断线检出器7由两个半环形的塑料外壳2对接形成为环形，其中一个塑料外壳2中容纳有半环形的铁芯以及缠绕在所述铁芯外部的线圈1，所述线圈1由所述塑料外壳2引入所述塑料外壳2中并缠绕在所述铁芯外部后引出所述塑料外壳2以用于传递信号。当熔断器处于合闸状态时，如图2所示，在断口检出器的横断面上，是有保险丝筒金属的，由于磁场作用，出线端子会出线合闸信号。如图3所示，当熔断器变化成分闸状态时，在断口检出器的横断面上，没有保险丝筒，出线端子会出现分闸信号。

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