定制英飞凌IGBT报价 江苏芯钻时代电子科技供应

    作为工作区域10和电流检测区域20的公共集电极单元200。此外，当空穴收集区8内设置有沟槽时，如图10所示，此时空穴收集区8中的沟槽与空穴收集区电极金属3接触，即接触多晶硅13。可选的，在图7的基础上，图11为图7中的空穴收集区电极金属3按照b-b’方向的横截图，如图11所示，此时，电流检测区域20的空穴收集区8与空穴收集区电极金属3接触，且，与p阱区7连通；当空穴收集区8通过设置有多晶硅5的沟槽与p阱区7隔离时，横截面如图12所示，此时，如果工作区域10设置有多晶硅5的沟槽终止于空穴收集区8的边缘时，则横截面如图13所示，且，空穴收集区8内是不包含设置有多晶硅5的沟槽的情况。此外，当空穴收集区8内包含设置有多晶硅5的沟槽时，如图14所示，此时，空穴收集区8的沟槽通过p阱区7与工作区域10内的设置有多晶硅5的沟槽隔离，这里空穴收集区8的沟槽与公共集电极金属接触并重合。因此，本发明实施例提供的一种igbt芯片，在电流检测区域20内没有开关控制电级，即使有沟槽mos结构，沟槽中的多晶硅5也与公共集电极单元200接触，且，与公共栅极单元100绝缘。又由于电流检测区域20中的空穴收集区8为p型区，可以与工作区域10的p阱区7在芯片横向上联通为一体，也可以隔离开；此外。

    igbt芯片的边缘还设置有终端保护区域，其中，终端保护区域包括在n型耐压漂移层上设置的多个p+场限环或p型扩散区；从而通过多个p+场限环或p型扩散区对igbt芯片进行耐压保护，在实际应用中，由于p+场限环或p型扩散区的数量与igbt芯片的电压等级有关，因此，关于p+场限环或p型扩散区的数量，本发明实施例对此不作限制说明。具体地，图7示出了一种igbt芯片的表面结构图，如图7所示，第1发射极单元金属2为第1发射极单元101在第1表面中的设置位置，空穴收集区电极金属3为电流检测区域20的电极空穴收集区在第1表面中的设置位置。当改变电流检测区域20的形状时，如指状或者梳妆时，igbt芯片的表面结构如图8所示，本发明实施例对此不作限制说明。在图7的基础上，图9为图7中的空穴收集区电极金属3按照a-a’方向的横截图，如图9所示，电流检测区域20的空穴收集区8与空穴收集区电极金属3接触，在每个沟槽内填充有多晶硅5，此外，在两个沟槽中间，还设置有p阱区7和n+源区6，以及，在沟槽与多晶硅5中间设置有氧化物4，以防多晶硅5发生氧化。此外，在第1表面和第二表面之间，还设置有n型耐压漂移层9和导电层，这里导电层包括p+区11，以及在p+区11下面设置有公共集电极金属12。

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