
1)当主电极T2对Tl所加的电压为正向电压,控制极G对一电极Tl所加的也是正向触发信号(图5a)。双向可控硅触发导通后,电流I2l的方向从T2流向T1。由特性曲线可知,这时双向可控硅触发导通规律是按第二象限的特性进行的,又因为触发信号是正向的,所以把这种触发叫做“一象限的正向触发”或称为I+触发方式。(2)如果主电极T2仍加正向电压,而把触发信号改为反向信号(图5b),这时双向可控硅触发导通后,通态电流的方向仍然是从T2到T1。我们把这种触发叫做“一象限的负触发”或称为I-触发方式。(3)两个主电极加上反向电压U12(图5c),输入正向触发信号,双向可控硅导通后,通态电流从T1流向T2。双向可控硅按第三象限特性曲线工作,因此把这种触发叫做Ⅲ+触发方式。(4)两个主电极仍然加反向电压U12,输入的是反向触发信号(图5d),双向可控硅导通后,通态电流仍从T1流向T2。这种触发就叫做Ⅲ-触发方式。双向可控硅虽然有以上四种触发方式,但由于负信号触发所需要的触发电压和电流都比较小。工作比较可靠,因此在实际使用时,负触发方式应用较多。可控硅特性编辑常用的有阻容移相桥触发电路、单结晶体管触发电路、晶体三极管触发电路、利用小晶闸管触发大晶闸管的触发电路,等等。
伏安特性类似二极管的反向特性可控硅的门极触发电流从门极流入可控硅,从阴极流出阴极是可控硅主电路与控制电路的公共端门极触发电流也往往是通过触发电路在门极和阴极之间施加触发电压而产生的可控硅的门极和阴极之间是PN结J3,其伏安特性称为门极伏安特性。为保证可靠、安全的触发,触发电路所提供的触发电压、电流和功率应限制在可靠触发区。15.可控硅特性1)开通过程延迟时间td:门极电流阶跃时刻开始,到阳极电流上升到稳态值的10%的时间。上升时间tr:阳极电流从10%上升到稳态值的90%所需的时间。开通时间tgt:以上两者之和,tgt=td+tr2)关断过程反向阻断恢复时间trr:正向电流降为零到反向恢复电流衰减至近于零的时间正向阻断恢复时间tgr:可控硅要恢复其对正向电压的阻断能力还需要一段时间在正向阻断恢复时间内如果重新对可控硅施加正向电压,可控硅会重新正向导通。实际应用中,应对可控硅施加足够长时间的反向电压,使可控硅充分恢复其对正向电压的阻断能力,电路才能可靠工作关断时间tq:trr与tgr之和,即tq=trr+tgr普通可控硅的关断时间约几百微秒,这是设计反向电压设计时间的依据。16.维持电流与IL擎住电流区别维持电流IH是从导通状态转变到阻断状态时。
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