
将多个直流母线电容上的叠层母排与IGBT功率组件的输入端保持电气连接,并将多个直流母线电容上的钣金固定板与钣金隔板固定连接,再将交流输出铜排穿过钣金隔板的连接口与IGBT的输出端连接,且绝缘固定块将交流输出铜排固定在箱体底座上。如图1所示,进行箱体封装,进行配件、绝缘件、五金件、线缆等安装,完成整个IGBT功率模块的制作。本实用新型合理分配散热,降低整个IGBT功率模块的散热成本;特殊结构的交流输出铜排提高了均流效果,降低IGBT静态、动态电流的不均流度,提高IGBT功率模块的可靠性;增加放电电阻提整个IGBT功率模块的安全性;一绝缘层起到对风导向和绝缘作用,同时也使得整个IGBT功率模块的结构更加紧凑;整体可维护更强,外观更加美观。以上对本实用新型的实施例进行了详细说明,但所述内容为本实用新型的较佳实施例,不能被认为用于限定本实用新型的实施范围。凡依本实用新型申请范围所作的均等变化与改进等,均应仍归属于本实用新型的涵盖范围之内。
本发明实施例还提供了一种半导体功率模块,如图15所示,半导体功率模块50配置有上述igbt芯片51,还包括驱动集成块52和检测电阻40。具体地,如图16所示,igbt芯片51设置在dcb板60上,驱动集成块52的out端口通过模块引线端子521与igbt芯片51中公共栅极单元100连接,以便于驱动工作区域10和电流检测区域20工作;si端口通过模块引线端子521与检测电阻40连接,用于获取检测电阻40上的电压;以及,gnd端口通过模块引线端子521与电流检测区域的一发射极单元101引出的导线522连接,检测电阻40的另一端还分别与电流检测区域的第二发射极单元201和接地区域连接,从而通过si端口获取检测电阻40上的测量电压,并根据该测量电压检测工作区域的工作电流。本发明实施例提供的半导体功率模块,设置有igbt芯片,其中,igbt芯片上设置有:工作区域、电流检测区域和接地区域;其中,igbt芯片还包括一表面和第二表面,且,一表面和第二表面相对设置;一表面上设置有工作区域和电流检测区域的公共栅极单元,以及,工作区域的一发射极单元、电流检测区域的第二发射极单元和第三发射极单元,其中,第三发射极单元与一发射极单元连接。
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