辽宁Mitsubishi三菱IPM模块代理商 江苏芯钻时代电子科技供应

    作为工作区域10和电流检测区域20的公共集电极单元200。此外，当空穴收集区8内设置有沟槽时，如图10所示，此时空穴收集区8中的沟槽与空穴收集区电极金属3接触，即接触多晶硅13。可选的，在图7的基础上，图11为图7中的空穴收集区电极金属3按照b-b’方向的横截图，如图11所示，此时，电流检测区域20的空穴收集区8与空穴收集区电极金属3接触，且，与p阱区7连通；当空穴收集区8通过设置有多晶硅5的沟槽与p阱区7隔离时，横截面如图12所示，此时，如果工作区域10设置有多晶硅5的沟槽终止于空穴收集区8的边缘时，则横截面如图13所示，且，空穴收集区8内是不包含设置有多晶硅5的沟槽的情况。此外，当空穴收集区8内包含设置有多晶硅5的沟槽时，如图14所示，此时，空穴收集区8的沟槽通过p阱区7与工作区域10内的设置有多晶硅5的沟槽隔离，这里空穴收集区8的沟槽与公共集电极金属接触并重合。因此，本发明实施例提供的一种igbt芯片，在电流检测区域20内没有开关控制电级，即使有沟槽mos结构，沟槽中的多晶硅5也与公共集电极单元200接触，且，与公共栅极单元100绝缘。又由于电流检测区域20中的空穴收集区8为p型区，可以与工作区域10的p阱区7在芯片横向上联通为一体，也可以隔离开；此外。

    本发明有关于一种高功率模块的制备方法，尤指一种含有两种不同尺寸的银粒子的银基奈米浆料，特别是指搭配全新非接触式探针点胶技术进行涂布而可避免破坏基板，并经热压烧结后形成的热接口材料。背景技术：：近年环保意识抬头，无铅电子封装材料将为未来环保趋势，故目前商用的硅基高功率模块的热接口材料(thermalinterfacematerials,tim)主要是以锡银铜(sn-ag-cu)合金为封装材料。然而，次世代高功率模块将以碳化硅(sic)与氮化镓(gan)为主要材料，且工作温度高于150℃。在此高温下，锡银铜合金容易形成易脆裂的介金属化合物。而高功率模块在长时间的热循环下所累积的剪应力将会导致此介金属化合物的破裂，进而使得模块因散热不良而失效。参考数百笔后，统整现有技术如下：1.作为焊接用途：为减少铅、镉等危害物质的用量，发明一种无铅焊料合金，以锌(zn)作为主成份及铝(al)作为合金金属制成，并将其用于机械连接或电子应用中。简言之，包含锌作为主成分及铝作为合金金属的无铅共晶焊料合金。2.用于太阳能及接合：制作焊接合用层合体，由金属奈米粒子烧结体层(含有平均粒径为1μm～100nm的银奈米粒子)、黏结剂层、含有金属氧化物粒子的障壁层、及金锡。

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