安徽Mitsubishi三菱IGBT模块 江苏芯钻时代电子科技供应

    igbt功率模块是以绝缘栅双极型晶体管（igbt）构成的功率模块。由于igbt模块为mosfet结构，igbt的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离，具有出色的器件性能。广泛应用于伺服电机，变频器，变频家电等领域。目录1特点2应用3注意事项4发展趋势IGBT功率模块特点编辑igbt功率模块是电压型控制，输入阻抗大，驱动功率小，控制电路简单，开关损耗小，通断速度快，工作频率高，元件容量大等优点。实质是个复合功率器件，它集双极型功率晶体管和功率mosfet的优点于一体化。又因先进的加工技术使它通态饱和电压低，开关频率高（可达20khz），这两点非常显着的特性，西门子公司又推出低饱和压降（）的npt-igbt性能更佳，相继东芝、富士、ir,摩托罗拉亦己在开发研制新品种。IGBT功率模块应用编辑igbt是先进的第三代功率模块，工作频率1-20khz,主要应用在变频器的主回路逆变器及一切逆变电路，即dc/ac变换中。例电动汽车、伺服控制器、ups、开关电源、斩波电源、无轨电车等。问世迄今有十年多历史，几乎己替代一切其它功率器件，例，单个元件电压可达（pt结构）一（npt结构），电流可达。IGBT功率模块注意事项编辑a,栅极与任何导电区要绝缘，以免产生静电而击穿。

    由形成于半导体衬底表面的一导电类型轻掺杂区组成。第二导电类型掺杂的阱区，形成于所述漂移区表面。在所述漂移区的底部表面形成有由第二导电类重掺杂区组成的集电区。电荷存储层，所述电荷存储层形成于所述漂移区的顶部区域且位于所述漂移区和所述阱区交界面的底部，所述电荷存储层具有一导电类重掺杂；所述电荷存储层用于阻挡第二导电类载流子从所述漂移区中进入到所述阱区中。多个沟槽，各所述沟槽穿过所述阱区和所述电荷存储层且各所述沟槽的进入到所述漂移区中；一个所述igbt器件的单元结构中包括一个栅极结构以及形成于所述栅极结构两侧的第二屏蔽电极结构，在所述栅极结构的每一侧包括至少一个所述第二屏蔽电极结构。所述栅极结构包括形成于一个对应的所述沟槽中的一屏蔽多晶硅和多晶硅栅的叠加结构，所述一屏蔽多晶硅组成一屏蔽电极结构。所述多晶硅栅位于所述一屏蔽多晶硅的顶部，所述一屏蔽多晶硅和对应的所述沟槽的底部表面和侧面之间通过一屏蔽介质层隔离，所述一屏蔽多晶硅和所述多晶硅栅之间通过多晶硅间介质层隔离，所述多晶硅栅和所述沟槽的侧面之间通过栅介质层隔离。所述第二屏蔽电极结构由填充于所述栅极结构两侧的所述沟槽中的第二屏蔽多晶硅组成。

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