河南定制Mitsubishi三菱IGBT模块 江苏芯钻时代电子科技供应

    但在中MOSFET及IGBT主流器件市场上，90％主要依赖进口，基本被国外欧美、日本企业垄断。国外企业如英飞凌、ABB、三菱等厂商研发的IGBT器件产品规格涵盖电压600V-6500V，电流2A-3600A，已形成完善的IGBT产品系列。英飞凌、三菱、ABB在1700V以上电压等级的工业IGBT领域占优势；在3300V以上电压等级的高压IGBT技术领域几乎处于垄断地位。在大功率沟槽技术方面，英飞凌与三菱公司处于国际水平。西门康、仙童等在1700V及以下电压等级的消费IGBT领域处于优势地位。尽管我国拥有大的功率半导体市场，但是目前国内功率半导体产品的研发与国际大公司相比还存在很大差距，特别是IGBT等器件差距更加明显。技术均掌握在发达国家企业手中，IGBT技术集成度高的特点又导致了较高的市场集中度。跟国内厂商相比，英飞凌、三菱和富士电机等国际厂商占有的市场优势。形成这种局面的原因主要是：1、国际厂商起步早，研发投入大，形成了较高的壁垒。2、国外制造业水平比国内要高很多，一定程度上支撑了国际厂商的技术优势。中国功率半导体产业的发展必须改变目前技术处于劣势的局面，特别是要在产业链上游层面取得突破，改变目前功率器件领域封装强于芯片的现状。总的来说。

    所述电荷存储层14用于阻挡第二导电类载流子从所述漂移区1中进入到所述阱区2中。多个沟槽101，各所述沟槽101穿过所述阱区2和所述电荷存储层14且各所述沟槽101的进入到所述漂移区1中；一个所述igbt器件的单元结构中包括一个栅极结构以及形成于所述栅极结构两侧的第二屏蔽电极结构，在所述栅极结构的每一侧包括至少一个所述第二屏蔽电极结构。所述栅极结构包括形成于一个对应的所述沟槽101中的一屏蔽多晶硅4a和多晶硅栅6的叠加结构，所述一屏蔽多晶硅4a组成一屏蔽电极结构。所述多晶硅栅6位于所述一屏蔽多晶硅4a的顶部，所述一屏蔽多晶硅4a和对应的所述沟槽101的底部表面和侧面之间通过一屏蔽介质层3a隔离3a，所述一屏蔽多晶硅4a和所述多晶硅栅6之间通过多晶硅间介质层5a隔离，所述多晶硅栅6和所述沟槽101的侧面之间通过栅介质层5隔离。所述第二屏蔽电极结构由填充于所述栅极结构两侧的所述沟槽101中的第二屏蔽多晶硅4b组成。所述第二屏蔽多晶硅4b和对应的所述沟槽101的底部表面和侧面之间通过第二屏蔽介质层3b隔离。所述一屏蔽介质层3a和所述第二屏蔽介质层3b的工艺条件相同且同时形成，所述一屏蔽多晶硅4a和所述第二屏蔽多晶硅4b的工艺条件相同且同时形成。

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