浙江优势Mitsubishi三菱IGBT模块销售厂 江苏芯钻时代电子科技供应

    3、本发明还设置了电荷存储层，电荷存储层结合第二屏蔽电极结构能更好的防止集电区注入的少子进入到沟道区域中，从而能降低降低器件的饱和压降。附图说明下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：图1是本发明实施例一实施例igbt器件的结构示意图；图2是本发明实施例第二实施例igbt器件的结构示意图；图3a-图3g是本发明一实施例方法各步骤中器件的结构示意图。具体实施方式本发明实施例一实施例igbt器件：如图1所示，是本发明实施例一实施例igbt器件的结构示意图，本发明一实施例igbt器件包括：漂移区1，由形成于半导体衬底(未显示)表面的一导电类型轻掺杂区组成。本发明实施例一实施例中，所述半导体衬底为硅衬底；在所述硅衬底表面形成有硅外延层，所述漂移区1直接由一导电类型轻掺杂的所述硅外延层组成，所述阱区2形成于所述漂移区1表面的所述硅外延层中。第二导电类型掺杂的阱区2，形成于所述漂移区1表面。在所述漂移区1的底部表面形成有由第二导电类重掺杂区组成的集电区9。电荷存储层14，所述电荷存储层14形成于所述漂移区1的顶部区域且位于所述漂移区1和所述阱区2交界面的底部，所述电荷存储层14具有一导电类重掺杂。

    这样能降低栅电容，增强器件短路电流的能力，提高器件的抗冲击能力。3、本发明一实施例还设置了电荷存储层14，电荷存储层14结合第二屏蔽电极结构能更好的防止集电区9注入的少子进入到沟道区域中，从而能降低降低器件的饱和压降。本发明第二实施例igbt器件：如图2所示，是本发明实施例第二实施例igbt器件的结构示意图，本发明第二实施例igbt器件包括：本发明第二实施例器件和本发明一实施例器件的区别之处为，本发明第二实施例器件中，在各所述单元结构中，所述源极接触孔11和邻近的一个所述屏蔽接触孔合并成一个接触孔，邻近的所述屏蔽接触孔外侧的所述屏蔽接触孔11a呈结构。本发明一实施例方法：如图3a至图3g所示，是本发明一实施例方法各步骤中器件的结构示意图，本发明一实施例igbt器件的制造方法包括如下步骤：步骤一、如图3a所示，提供一半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成由一导电类型轻掺杂区组成的漂移区1。所述半导体衬底为硅衬底。在所述硅衬底表面形成有硅外延层，所述漂移区1直接由一导电类型轻掺杂的所述硅外延层组成，所述阱区2形成于所述漂移区1表面的所述硅外延层中。步骤二、如图3a所示，在所述半导体衬底中形成多个沟槽101。

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