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    3、本发明还设置了电荷存储层，电荷存储层结合第二屏蔽电极结构能更好的防止集电区注入的少子进入到沟道区域中，从而能降低降低器件的饱和压降。附图说明下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：图1是本发明实施例一实施例igbt器件的结构示意图；图2是本发明实施例第二实施例igbt器件的结构示意图；图3a-图3g是本发明一实施例方法各步骤中器件的结构示意图。具体实施方式本发明实施例一实施例igbt器件：如图1所示，是本发明实施例一实施例igbt器件的结构示意图，本发明一实施例igbt器件包括：漂移区1，由形成于半导体衬底(未显示)表面的一导电类型轻掺杂区组成。本发明实施例一实施例中，所述半导体衬底为硅衬底；在所述硅衬底表面形成有硅外延层，所述漂移区1直接由一导电类型轻掺杂的所述硅外延层组成，所述阱区2形成于所述漂移区1表面的所述硅外延层中。第二导电类型掺杂的阱区2，形成于所述漂移区1表面。在所述漂移区1的底部表面形成有由第二导电类重掺杂区组成的集电区9。电荷存储层14，所述电荷存储层14形成于所述漂移区1的顶部区域且位于所述漂移区1和所述阱区2交界面的底部，所述电荷存储层14具有一导电类重掺杂。

    消除了导通电阻中jfet的影响。同时缩小了原胞尺寸即步进(pitch)，提高原胞密度，每个芯片的沟道总宽度增加，减小了沟道电阻。另一方面，由于多晶硅栅面积增大，减少了分布电阻，有利于提高开关速度。igbt的饱和压降(vcesat)和关断损耗以及抗冲击能力是衡量igbt器件的几个重要指标。饱和压降是衡量igbt产品导通损耗的重要参数，降低igbt饱和压降可以有效降低igbt功率损耗，减小产品发热，提高功率转换效率。耐压特性也是是产品的重要参数之一。降低关断损耗可以限度的降低igbt在高频下的功率损耗。igbt产品抗冲击能力的主要体现就是产品抗短路能力，是体现产品可靠性的重要参数指标。随着技术的发展，对igbt的性能要求越来越高，如何更加灵活地调整饱和压降(vcesat)与关断损耗(eoff)的折中关系，在保证饱和压降不增大的前提下更好的优化开关损耗，同时提高器件的抗冲击能力以实用于高功率转换领域，成为本领域技术人员一直求的目标。技术实现要素：本发明所要解决的技术问题是提供一种igbt器件，能同时改善器件的饱和压降、关断损耗以及抗冲击的性能。为此，本发明还提供一种igbt器件的制造方法。为解决上述技术问题，本发明提供的igbt器件包括：漂移区。

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