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    本实用新型属于电力电子的技术领域，尤其是涉及一种IGBT功率模块。背景技术：随着我国工业技术的迅猛发展，大型电力电子设备越来越广泛的应用于各行各业，功率等级和功率密度也越来越高，作为大型电力电子设备部件的IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor，绝缘栅双极型晶体管)，由于使用环境特殊，要求IGBT功率模块具有结构合理、维护方便、功率密度等级高等特点。因此，IGBT功率模块常常被业界设计成一个功能完备的模块单元。但现有的IGBT功率模块设计大部分是由相互分立的IGBT元件并联再结合相当数量的直流母线电容组成，结构松散、简单，使得现有IGBT功率模块存在如下缺陷：1、由于电力电子设备整机结构体积要求越来越紧凑，并联的IGBT元件和直流母线电容数量受到相应的限制，故不能满足越来越来高功率等级和高密度的实际需求；2、解决滤波电容散热问题时，由于结构设计不合理，导致散热成本过高；3、现有IGBT功率模块一般主要有多个分立的IGBT元件并联，由于均流效果差，经常导致IGBT发热、Vce尖峰电压过高，引起IGBT失效，降低整体功率单元的寿命，增加运维成本；4、不增加或者增加不合适的放电电阻，增加拆装IGBT功率模块时的风险或成本。

    由于铅会破坏人类神经系统以及妨碍胎儿发育，故目前世界各国正努力寻找无铅接合材料。然而，无铅焊锡主要成份为锡银铜合金，该合金在高温环境下易形成介金属化合物(cu6sn5与cu3sn)，一旦此介金属化合物形成后，接点在高温下(＞150℃)的机械强度则降为原来的三分之一，且在长时间的热循环下容易形成孔洞，使得接合强度更为脆弱。再者，当孔洞形成后，增加高功率模块内部散热鳍片与功率集成电路(integratedcircuit,ic)组件的接口热阻，导致散热不易，终使得高功率模块热失效。故，一般无法符合使用者于实际使用时所需。技术实现要素：本发明的主要目的在于，克服已知技术所遭遇的上述问题，并提供一种使用的热接口材料在完成热处理后含少量有机物(＜1％)，且99％以上为纯银，故长时间使用下将无有机挥发物(volatileorganiccompounds,voc)的产生，且在高温下(＜800℃)相当稳定，不会产生任何介金属化合物，从而不会有因制程(环境)温度而脆化的问题的高功率模块的制备方法。本发明的次要目的在于，提供一种使用的热接口材料为纯银，以高纯度银做异质界面接合用材料，其导热系数为锡银铜合金(无铅焊锡)的两倍以上，将可取代锡银铜合金及铅锡与银铅锡合金。

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