山西定制Mitsubishi三菱IPM模块代理商 江苏芯钻时代电子科技供应

    本实用新型涉及igbt功率模块技术领域，具体为一种igbt功率模块的安装机构。背景技术：igbt，绝缘栅双极型晶体管，是由bjt(双极型三极管)和mos(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有mosfet的高输入阻抗和gtr的低导通压降两方面的优点，gtr饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；mosfet驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小，igbt综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低，非常适合应用于直流电压为600v及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。igbt功率模块使用前需要将其进行安装，安装igbt功率模块需要用到安装机构，但是，现有igbt功率模块的安装机构操作时繁琐，不方便使用者安装igbt功率模块，浪费了使用者大量的时间，降低了igbt功率模块安装的效率。技术实现要素：本实用新型的目的在于提供一种igbt功率模块的安装机构，具备方便安装的优点，解决了现有igbt功率模块的安装机构操作时繁琐，不方便使用者安装igbt功率模块的问题。为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种igbt功率模块的安装机构，包括底座，所述底座内部的两侧均开设有容纳槽。

    图3和图4分别为功率模块机构的功率模块支架部分不同角度结构示意图。具体实施方式为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细说明。下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“一”、“第二”用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此。

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