山东进口MOS管供应 江苏芯钻时代电子科技供应

    一、什么是MOS管？MOS管全称金属—氧化物—半导体场效应晶体管或称金属—绝缘体—半导体场效应晶体管，英文名metaloxidesemiconductor，属于场效应管中的绝缘栅型，因此，MOS管有时候又称为绝缘栅场效应管。二、MOS管的构造。MOS管这个器件有两个电极，分别是漏极D和源极S，无论是图一的N型还是图二的P型都是一块掺杂浓度较低的P型半导体硅衬底上，用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N+/P+区，并用金属铝引出漏极D和源极S。然后在漏极和源极之间的N/P型半导体表面复盖一层很薄的二氧化硅（Si02）绝缘层膜，在再这个绝缘层膜上装上一个铝电极，作为栅极G。这就构成了一个N/P沟道（NPN型）增强型MOS管。三、MOS管的特性。MOS管具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好；制造工艺简单、辐射强，因而通常被用于放大电路或开关电路。四、MOS管的电压极性和符号规则:图一是N沟道MOS管的符号，图中D是漏极，S是源极，G是栅极，中间的箭头表示衬底，如果箭头向里表示是N沟道的MOS管，箭头向外表示是P沟道的MOS管。在实际MOS管生产的过程中衬底在出厂前就和源极连接，所以在符号的规则中；表示衬底的箭头也必须和源极相连接，以区别漏极和源极。图三是P沟道MOS管的符号。

    P沟道mos管作为开关的条件（GS>GS（TH））1、P沟道mos管作为开关，栅源的阀值为，当栅源的电压差为，如果S为，G为，那么GS=-1V，mos管导通，D为如果S为，G为，VGSw那么mos管不导通，D为0V，所以，如果，要mos管导通为系统供电，系统连接到D，利用G控制。那么和G相连的GPIO高电平要，才能使mos管关断，低电平使mos管导通。如果控制G的GPIO的电压区域为，那么GPIO高电平的时候为，GS为，mos管导通，不能够关断。GPIO为低电平的时候，假如，那么GS为。这种情况下GPIO就不能够控制mos管的导通和关闭。2、P沟道的源极S接输入，漏极D导通输出，N沟道相反说白了给箭头方向相反的电流就是导通，方向相同就是截止。出处：详解，N沟道MOS管和P沟道MOS管先讲讲MOS/CMOS集成电路MOS集成电路特点：制造工艺比较简单、成品率较高、功耗低、组成的逻辑电路比较简单，集成度高、抗干扰能力强，特别适合于大规模集成电路。MOS集成电路包括:NMOS管组成的NMOS电路、PMOS管组成的PMOS电路及由NMOS和PMOS两种管子组成的互补MOS电路，即CMOS电路。PMOS门电路与NMOS电路的原理完全相同，只是电源极性相反而已。数字电路中MOS集成电路所使用的MOS管均为增强型管子，负载常用MOS管作为有源负载。

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