
由以上分析我们可以画出mos管工作原理图中MOS管电路部分的工作过程(见图)。工作原理同前所述。MOS管应用电路MOS管明显的特性是开关特性好,所以被广泛应用在需要电子开关的电路中,常见的如开关电源和马达驱动,也有照明调光。现在的MOS驱动,有几个特别的需求:1、低压应用当使用5V电源,这时候如果使用传统的mos管工作原理图图腾柱结构,由于三极管的be有,导致实际终加在gate上的电压只有。这时候,我们选用标称gate电压。同样的问题也发生在使用3V或者其他低压电源的场合。2、宽电压应用输入电压并不是一个固定值,它会随着时间或者其他因素而变动。这个变动导致PWM电路提供给MOS管的驱动电压是不稳定的。为了让MOS管在高gate电压下安全,很多MOS管内置了稳压管强行限制gate电压的幅值。在这种情况下,当提供的驱动电压超过稳压管的电压,就会引起较大的静态功耗。同时,如果简单的用电阻分压的原理降低gate电压,就会出现输入电压比较高的时候,MOS管工作良好,而输入电压降低的时候gate电压不足,引起导通不够彻底,从而增加功耗。3、双电压应用在一些控制电路中,逻辑部分使用典型的5V或者,而功率部分使用12V甚至更高的电压。两个电压采用共地方式连接。
如果N-MOS做开关,G级电压要比电源高几V,才能完全导通,P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗,等效直流阻抗比较大,压降增大,所以U*I也增大,损耗就意味着发热。这是设计电路的忌讳的错误;(本次产品测试问题点虽然不是出在电路设计上,但BOM做错比设计错误往往更难分析)2、频率太高,主要是有时过分追求体积,导致频率提高,MOS管上的损耗增大了,所以发热也加大了;3、没有做好足够的散热设计,电流太高,MOS管标称的电流值,一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于大电流,也可能发热严重,需要足够的辅助散热片;4、MOS管的选型有误,对功率判断有误,MOS管内阻没有充分考虑,导致开关阻抗增大。总结二:MOS管工作状态分析MOS管工作状态有四种,开通过程、导通状态、关断过程,截止状态;MOS管主要损耗:开关损耗,导通损耗,截止损耗,还有雪崩能量损耗,开关损耗往往大于后者;MOS管主要损坏原因:过流(持续大电流或瞬间超大电流),过压(D-S,G-S被击穿),静电(个人认为可属于过压);总结三:MOS管工作过程分析MOS管工作过程非常复杂,里面变量很多,总之开关慢不容易导致米勒震荡(介绍米勒电容,米勒效应等,很详细),但开关损耗会加大。
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