北京加工MOS管供应 江苏芯钻时代电子科技供应

    MOS管由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^7~10^12Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。所有MOS集成电路（包括P沟道MOS，N沟道MOS，互补MOS—CMOS集成电路）都有一层绝缘栅，以防止电压击穿。一般器件的绝缘栅氧化层的厚度大约是25nm、50nm、80nm三种。在集成电路高阻抗栅前面还有电阻——二极管网络进行保护，虽然如此，器件内的保护网络还不足以免除对器件的静电损害（ESD），实验指出，在高电压放电时器件会失效，器件也可能为多次较低电压放电的累积而失效。按损伤的严重程度静电损害有多种形式，严重的也是容易发生的是输入端或输出端的完全破坏以至于与电源端VDDGND短路或开路，器件完全丧失了原有的功能。稍次一等严重的损害是出现断续的失效或者是性能的退化，那就更难察觉。还有一些静电损害会使泄漏电流增加导致器件性能变坏。MOS管的定义MOS管做为电压驱动大电流型器件，在电路尤其是动力系统中大量应用，MOS管有一些特性在实际应用中是我们应该特别注意的MOS管体二极管，又称寄生二极管。

    ，即在集成电路中绝缘性场效应管。MOS英文全称为Metal-Oxide-Semiconductor即金属-氧化物-半导体，确切的说，这个名字描述了集成电路中MOS管的结构，即：在一定结构的半导体器件上，加上二氧化硅和金属，形成栅极。MOS管的source和drain是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能,这样的器件被认为是对称的。(多子)参与导电，是单极型晶体管。导电机理与小功率MOS管相同，但结构上有较大区别，小功率MOS管是横向导电器件，功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET，提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻，该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压(栅源电压为零)时，就有导电沟道产生的n沟道MOS管。、输出特性对于共源极接法的电路，源极和衬底之间被二氧化硅绝缘层隔离，所以栅极电流为0。当VGSMOS管作为开关元件，同样是工作在截止或导通两种状态。

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