
在所述栅极结构的每一侧包括二个所述第二屏蔽电极结构,在其他实施例中,也能改变所述栅极结构和对应的所述第二屏蔽电极结构的数量和位置。所述沟槽101的步进为1微米~3微米,所述沟槽101的步进如图3a中的d1所示。在所述漂移区1和所述集电区9之间形成有由一导电类型重掺杂区组成的电场中止层8。本发明一实施例中,所述igbt器件为n型器件,一导电类型为n型,第二导电类型为p型。在其他实施例中也能为:所述igbt器件为p型器件,一导电类型为p型,第二导电类型为n型。本发明一实施例具有如下有益技术效果:1、本发明一实施例对器件单元结构中的栅极结构的屏蔽结构做了特别的设置,在栅极结构的两侧设置有形成于沟槽101中的屏蔽电极结构即第二屏蔽电极结构,再加上形成于栅极结构的沟槽101底部的一屏蔽电极结构,一起作用栅极结构的屏蔽电极,这种屏蔽电极结构由于是通过沟槽101填充形成,有利于缩小器件的沟槽101的步进,较小的沟槽101步进能从而降低igbt器件的输入电容、输出电容和逆导电容,提高器件的开关速度;2、本发明一实施例同时还将一屏蔽电极结构对应的一屏蔽多晶硅4a和第二屏蔽电极结构对应的第二屏蔽多晶硅4b都通过接触孔连接到金属源极,实现和发射区的短接。
2)IGBT模块的散热器应根据使用条件和环境及IGBT模块参数进行匹配选择,以保证GBT模块工作时对散热器的要求。为了减少接触热阻,推荐在散热器与IGBT模块之间涂上一层很薄的导热硅脂。3)IGBT模块安装到散热片上时,要先在模块的反面涂上散热绝缘混合剂(导热膏),再用推荐的夹紧力距充分旋紧。另外,散热片上安装螺丝的位置之间的平坦度应控制在100μm以下,表面粗糙度应控制在10μm以下。散热器表面如有凹陷,会导致接触热阻(Rth(c—f)的增加。另外,散热器表面的平面度在上述范围以外时,IGBT模块安装时(夹紧时)会给IGBT模块内部的芯片与位于金属基板间的绝缘基板增加应力,有可能产生绝缘破坏。4)IGBT模块底板为铜板的模块,在散热器与IGBT模块均匀受力后,从IGBT模块边缘可看出有少许导热硅脂挤出为佳。IGBT模块底板为DBC基板的模块,散热器表面必须平整、光洁,采用丝网印刷或圆滚滚动的方法涂敷一薄层导热硅脂后,使两者均匀压接。IGBT模块直接固定在散热器上时,每个螺钉需按说明书中给出的力矩旋紧,螺钉一定要受力均匀,力矩不足导致热阻增加或运动中出现螺钉松动。两点安装紧固螺丝时,一个和第二个依次紧固额定力矩的1/3,然后反复多次使其达到额定力矩。
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