所述阱区位于所述漂移区表面。所述电荷存储层位于所述漂移区的顶部区域且位于所述漂移区和所述阱区交界面的底部，所述电荷存储层具有一导电类重掺杂；所述电荷存储层用于阻挡第二导电类载流子从所述漂移区中进入到所述阱区中。各所述沟槽穿过所述阱区和所述电荷存储层且各所述沟槽的进入到所述漂移区中；被所述多晶硅栅侧面覆盖的所述阱区的表面用于形成沟道。步骤八、采用光刻定义加一导电类型重掺杂离子注入工艺在所述多晶硅栅两侧的所述阱区的表面形成发射区。步骤九、形成层间膜、接触孔、正面金属层，所述接触孔穿过所述层间膜；对所述正面金属层进行图形化形成金属栅极和金属源极。所述多晶硅栅通过顶部对应的接触孔连接到所述金属栅极。所述发射区通过顶部的对应的接触孔连接到所述金属源极；令所述发射区顶部对应的接触孔为源极接触孔，所述源极接触孔还和穿过所述发射区和所述阱区接触。所述一屏蔽多晶硅和所述第二屏蔽多晶硅也分布通过对应的接触孔连接到所述金属源极。步骤十、对所述半导体衬底进行背面减薄，进行第二导电类型重掺杂注入并进行退火在所述漂移区的底部表面形成有由第二导电类重掺杂区组成的集电区。
可控硅可控硅简称SCR，是一种大功率电器元件，也称晶闸管。它具有体积小、效率高、寿命长等优点。在自动控制系统中，可作为大功率驱动器件，实现用小功率控件控制大功率设备。它在交直流电机调速系统、调功系统及随动系统中得到了广泛的应用。可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种。双向可控硅也叫三端双向可控硅，简称TRIAC。双向可控硅在结构上相当于两个单向可控硅反向连接，这种可控硅具有双向导通功能。其通断状态由控制极G决定。在控制极G上加正脉冲（或负脉冲）可使其正向（或反向）导通。这种装置的优点是控制电路简单，没有反向耐压问题，因此特别适合做交流无触点开关使用。IGBTIGBT绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。IGBT非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
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