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    作为工作区域10和电流检测区域20的公共集电极单元200。此外，当空穴收集区8内设置有沟槽时，如图10所示，此时空穴收集区8中的沟槽与空穴收集区电极金属3接触，即接触多晶硅13。可选的，在图7的基础上，图11为图7中的空穴收集区电极金属3按照b-b’方向的横截图，如图11所示，此时，电流检测区域20的空穴收集区8与空穴收集区电极金属3接触，且，与p阱区7连通；当空穴收集区8通过设置有多晶硅5的沟槽与p阱区7隔离时，横截面如图12所示，此时，如果工作区域10设置有多晶硅5的沟槽终止于空穴收集区8的边缘时，则横截面如图13所示，且，空穴收集区8内是不包含设置有多晶硅5的沟槽的情况。此外，当空穴收集区8内包含设置有多晶硅5的沟槽时，如图14所示，此时，空穴收集区8的沟槽通过p阱区7与工作区域10内的设置有多晶硅5的沟槽隔离，这里空穴收集区8的沟槽与公共集电极金属接触并重合。因此，本发明实施例提供的一种igbt芯片，在电流检测区域20内没有开关控制电级，即使有沟槽mos结构，沟槽中的多晶硅5也与公共集电极单元200接触，且，与公共栅极单元100绝缘。又由于电流检测区域20中的空穴收集区8为p型区，可以与工作区域10的p阱区7在芯片横向上联通为一体，也可以隔离开；此外。

    本实用新型涉及功率模块技术领域，尤其涉及一种提高生产效率的功率模块支架及其功率模块机构。背景技术：汽车控制器大功率电子元器件集成方式率模块本身具有安装孔位，可以直接安装在控制器的散热体上，但是单个的功率模块由于需要和pcb板进行装配和定位，且很多的控制器上需要用多个该功率模块，一般的控制器上需要一个一个的去安装该功率模块且每一个都需要单独进行固定和定位，由此导致生产效率低下。技术实现要素：本实用新型的目的在于克服现有技术的不足，提供一种提高生产效率的功率模块支架及其功率模块机构。为实现上述目的，本实用新型采用以下技术方案：一种功率模块支架，其包括：支架本体，所述支架本体上设有多个用于固定功率模块的安装位，所述安装位包括：容纳槽，设于容纳槽的底壁的定位柱；其中，相邻安装位之间的连接处还设有连接柱，通过所述连接柱将功率模块支架连接于pcb板。其中，所述容纳槽的侧边还设有用于固定功率模块的引脚的引脚槽。其中，所述连接柱由容纳槽的底部向外伸出，定位柱上还设有通孔。其中，所述支架本体上还设有若干加强筋。一种功率模块机构，其包括如上任意一项所述的功率模块支架。具体的。

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